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1.
We have investigated the temperature dependent interfacial and electrical characteristics of p-GaAs metal-oxide-semiconductor capacitors during atomic layer deposition(ALD) and annealing of HfO2 using the tetrakis(ethylmethyl) amino hafnium precursor. The leakage current decreases with the increase of the ALD temperature and the lowest current is obtained at 300℃ as a result of the Frenkel-Poole conduction induced leakage current being greatly weakened by the reduction of interfacial oxides at the higher temperature. Post deposition annealing(PDA) at 500℃ after ALD at 300℃ leads to the lowest leakage current compared with other annealing temperatures. A pronounced reduction in As oxides during PDA at 500℃ has been observed using X-ray photoelectron spectroscopy at the interface resulting in a proportional increase in Ga2O3. The increment of Ga2O3 after PDA depends on the amount of residual As oxides after ALD. Thus, the ALD temperature plays an important role in determining the high-k/GaAs interface condition. Meanwhile, an optimum PDA temperature is essential for obtaining good dielectric properties.  相似文献   
2.
人群计数技术以估计人群图片或视频中的人数为目标,可以有效预防人群踩踏事故的发生,广泛应用于安防预警、城市规划及大型集会管理等领域。然而,由于人群尺度变化、背景干扰、人群分布不均、遮挡和透视效应等因素的影响,单幅图片的人群计数仍是一项非常具有挑战性的任务。针对人群计数中多尺度变化和背景干扰问题,提出一种抗背景干扰的多尺度人群计数算法。以VGG16网络结构为基础,引入特征金字塔构建多尺度特征融合骨干网络解决人群多尺度变化问题,设计Double-Head-CC结构对融合后的特征图进行前景背景分割和密度图预测以抑制背景干扰。基于密度图的局部相关性和多任务学习,定义多重损失函数和多任务联合损失函数进行网络优化。在ShanghaiTech、UCF-QNRF和JHU-CROWD++数据集上进行训练和评测,实验结果表明,该算法能够很好地预测人群密度分布和人群数量,具有较高的准确性,且鲁棒性强、泛化性能良好。  相似文献   
3.
设计了一种锗源环栅线隧穿晶体管(GAA-LTFET),并采用TCAD工具对其工作原理进行了分析,通过双栅功函数技术抑制寄生点隧穿机制,消除了转移电流曲线上的驼峰现象,提高器件特性。此外,还针对源区掺杂浓度和沟道厚度等关键参数进行了分析和优化,最终器件平均亚阈值摆幅可达33.4 mV/dec,开态电流可达0.64μA/μm,开关比值约为9×10^(8),该器件的优异特性有望促进后摩尔时代超低功耗技术的发展。  相似文献   
4.
针对认知无线电中以最大化网络效益为准则的频谱分配难题以及蝠鲼觅食优化(MRFO)算法难以解决频谱分配问题的不足,提出一种离散蝠鲼觅食优化(DMRFO)算法.根据工程中频谱分配问题具有亲1性的特点,首先,基于Sigmoid函数(SF)离散法对MRFO算法进行离散二进制化;然后,通过异或算子和速度调节因子引导蝠鲼根据当前速...  相似文献   
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