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由于航空航天活动越发复杂,深空通信和姿态控制等航空航天电子系统大量采用集成电路芯片以提高各方面性能。随着集成电路工艺节点的进一步缩小,电路受到单粒子效应而发生错误的概率越来越大。评估集成电路对单粒子翻转(Single event upset, SEU)的敏感性对航空航天的发展具有重要意义。电路规模的增加和系统功能集成度的提高给评估速度带来了严峻挑战。本文提出了一种能适用于超大规模集成电路(Very large scale integration, VLSI)的快速故障注入方法。该方法可通过脚本自动分析电路,并修改逻辑使电路具备故障注入功能。实验结果表明,该方法实现的故障注入速度可以达到纳秒级,可大幅缓解电路规模和评估时间之间的矛盾,从而满足VLSI的评估需求。  相似文献   
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由于空间辐射环境充满了各类射线和高能粒子,非常容易诱发集成电路发生单粒子效应,因此有必要开发对应的评估技术,分析单粒子效应对超大规模集成电路(VLSI)的影响。以ISCAS89测试基准电路为主要研究对象,提出了一种适用于VLSI的单粒子效应评估技术,可以通过脚本自动生成仿真和测试文件,实现任意节点的故障注入,并可以在任何一种支持硬件描述语言的EDA仿真工具上进行评估。分别对使用三模冗余技术、自刷新寄存器技术加固后的电路和原始电路进行了对比评估。评估结果符合逻辑,验证了门级单粒子效应评估测试技术的有效性。通过提出的评估技术,可以快速评估电路的抗辐射能力,提高查找设计缺陷、对电路进行针对性加固的效率,对于提高集成电路的安全性和稳定性有着重要的应用价值。  相似文献   
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