无氨氮化硅薄膜在MEMS硅腐蚀中的应用

研究了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)生长的无氨氮化硅薄膜作为掩蔽层在MEMS硅腐蚀工艺中的应用。比较了PECVD不同工艺条件(衬底温度和功率)以及不同四甲基氢氧化铵(TMAH)硅腐蚀液温度对无氨氮化硅薄膜硅腐蚀掩蔽效果的影响。通过优化无氨氮化硅薄膜生长条件和硅腐蚀液温度,得到了高质量的氮化硅薄膜,颗粒以及针孔密度较少,0.2μm以上颗粒度小于100,提高了硅腐蚀掩蔽选择比。实验结果显示优化生长条件的氮化硅薄膜(衬底温度350℃,功率30 W),在85℃的TMAH硅腐蚀液中,硅的腐蚀速率为68μm/h,氮化硅薄膜腐蚀速率为33.2 nm/h,硅与氮化硅的腐蚀选择比为2 048,满足MEMS体硅腐蚀工艺对于掩膜特性的要求。     

硅基SiO_2光波导

在硅基上通过氢氧焰淀积的 Si O2 ,厚度达到了 2 0 μm;通过掺 Ge增加芯层的折射率 ,折射率比小于 1% ,并可调 ;用反应离子刻蚀工艺对波导的芯层进行刻蚀 ,刻蚀深度为 6 μm,刻蚀深宽比大于 10 ;波导传输损耗小于0 .6 d B/ cm(λ=1.5 5 μm) ,并对波导的损耗机理和测试进行了分析与研究 .另外 ,为实现光纤与波导的耦合 ,结合微电子机械系统技术 ,在波导基片上制作了光纤对准 V形槽     

After effect6.5中Vector paint原理及其特殊应用

After effect是一个适用于高端视频系统的专业型非线性编 辑创作系统。它提供了基于帧的视频设计途径。也为影视制作 人员提供了强大的影片编辑和制作工具。本文主要介绍After effect6.5中的新增功能——Vector paint的原理及其特殊的应用。     

After effect6.5中Vector paint的原理及其特殊应用

After effect是一个适用于高端视频系统的专业型非线性编辑创作系统。它提供了基于帧的视频设计途径.也为影视制作人员提供了强大的影片编辑和制作工具。本文主要介绍Aftereffect6.5中的新增功能——Vector paint的原理及其特殊的应用。     

数据库系统安全风险及安全策略研究

本文分析了当前数据库系统的安全性问题,从操作系统、用户、管理以及数据库内部四个方面分析了数据库系统存在的安全风险,并在此基础上提出了降低数据库系统风险的相关安全策略及措施.     

加密环境中的无线TCP性能优化

TCP是一种广泛使用的可靠传输协议,它的设计基于拥塞是引起丢包主要原因的假设。但在无线网络中,丢包通常是传输差错的缘故,这导致了TCP传输性能的急剧下降。现有不少无线TCP传输性能优化方法要求中间节点能够获得TCP连接信息,因此不适用于数据流被加密的情况。文中提出的丢包识别机制可应用于加密环境,它通过TCP发送端判断丢包原因并采取相应措施来提高传输速率,仿真结果证明该方法是有效的、鲁棒的,在局域网和广域网环境中都能明显提高TCP端到端传输性能。     

一种适合无线环境的IPv6头部压缩方法

头部压缩可以提高链路传输效率,但现有压缩方法基于差分编码方式,压缩效率易受丢包影响,在误码率高的无线链路上反而会降低传输效率。为此,提出一种新的IPv6头部压缩方法SBHC。主要思想是利用IPv6头部变化少的特点,采用基于替换的方式实现压缩行为,克服了差分编码方式存在的弊端。性能测试结果表明,SBHC压缩方法可以有效提高无线链路的传输效率。     

Au/Sn共晶键合技术在MEMS封装中的应用

研究了Au/Sn共晶圆片键合技术在MEMS气密性封装中的应用。设计了共晶键合多层材料的结构和密封环图形,盖帽层采用Ti/Ni/Au/Sn/Au结构,器件层采用Ti/Ni/Au结构,盖帽层腔体尺寸为4.5 mm×4.5 mm×20μm,Au/Sn环的宽度为700μm,优化了键合工艺,对影响气密性的因素(如组分配比、键合前处理和键合温度等)进行了分析。两层硅片在氮气气氛中靠静态的压力实现紧密接触。在峰值温度为300℃、持续时间为2 min的条件下实现了良好的键合效果,其剪切力平均值达到16.663 kg,漏率小于2×10-3 Pa·cm3/s,满足检验标准(GJB548A)的要求,验证了Au/Sn共晶键合技术在MEMS气密封装中的适用性。     

MEMS光开关

采用 MEMS体硅工艺 ,制作了三种结构的微机械光开关 :水平驱动 2 D(二维 )光开关、垂直驱动 2 D光开关和扭摆驱动 2 D、3D(三维 )光开关 .水平驱动光开关采用单层体硅结构 ,另外两种光开关都采用了硅 -玻璃的键合结构 .它们的工作原理都基于硅数字微镜技术 .这三种光开关均采用了静电力驱动 ,具有较低的驱动电压 ,其中扭摆式光开关的驱动电压小于 15 V.对于 2 D开关阵列 ,在硅基上制作了光纤自对准耦合槽 .对后两种光开关的开关特性进行了计算机模拟与分析 ,结果表明这两种光开关具有小于 1ms的开关时间     

硅基SiO2光波导

在硅基上通过氢氧焰淀积的SiO2,厚度达到了20μm;通过掺Ge增加芯层的折射率,折射率比小于1%,并可调;用反应离子刻蚀工艺对波导的芯层进行刻蚀,刻蚀深度为6μm,刻蚀深宽比大于10;波导传输损耗小于0.6dB/cm(λ=1.55μm),并对波导的损耗机理和测试进行了分析与研究.另外,为实现光纤与波导的耦合,结合微电子机械系统技术,在波导基片上制作了光纤对准V形槽.