Broyden算法在薛定谔方程和泊松方程自洽求解中的应用

利用Broyden算法,通过自洽求解一维半导体量子线的电子浓度分布和电势分布,和常用的牛顿法以及逐次超松弛(SOR)法相比较,确认了Broyden算法的收敛结果正确,并减少了达到收敛的迭代步数,是对于薛定谔方程和泊松方程组成的非线性方程组系统自洽求解的有力工具.     

High-k材料MOS器件的PISCES-II模拟

High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性。改进后的PISCES-II程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。     

PowerBuilder与ORACLE高级通信技术

本文从客户／服务器系统性能调整的角度出发,介绍了PowerBuilder与ORACLE数据库之间的连接与通信方式,给出了数据库环境文件设置、事物对象及自定义事物对象等数据库连接方式,讨论了Cursor的使用、ORACLE存储过程调用等数据通信技术,并指出了与此相关的在实际安装PowerBuilder和ORACLE时应注意的有关问题。     

面向订单的硅材料生产计划自动生成系统

本文介绍一个面向订单的生声计划自动生成系统。作为我国自主开发的第一套半导体材料计算机辅助制造(SM-CAM)系统的核心模块，该系统台理地解决了硅材料生产的订单管理、生产资源的综合分析和生产能力平衡的计算，并能自动生成生产计划。该系统已成功地投入运行。     

集成电路封装工艺生产管理系统的设计与实现

针对集成电路封装工艺生产的实际需要,设计和实现了一个基于客户机/服务器模式的集成电路封装工艺生产管理系统.该系统可以采集大量的生产数据信息,并自动完成统计分析,生成各种实时的报表;特别是增加了用户自定义报表编缉功能,使得管理者和工程师能够快速地生成自己所需形式的报表,统计分析生产流水数据,提高生产的工艺管理水平.目前,系统性能已经过测试优化并投入试运行.     

IP核网络管理系统的安全机制

在"通用设计模块(IP核)管理系统的研制与开发"这一课题中,IP数据的价值与特殊敏感性要求确保IP数据在网络交易传输中的安全性,包括保护IP数据提供者的知识产权以及保证IP用户能够得到可靠、准确的IP数据.因此,网络数据安全机制的设计及实现成为本课题的重点.介绍了采用对称密钥加密算法AES(Advanced Encryption Standard)与非对称密钥加密算法ECC(Elliptic Curve Cryptography)相结合的双加密机制的设计,通过将JSP页面嵌套在J2EE构架中实现了IP数据在网络中的安全传送.整个"通用设计模块(IP核)管理系统"已通过课题验收,并投入了试运行.     

室温下Si/Si1-xGex共振隧穿二极管的数值模拟

采用量子水动力学(QHD)模型模拟了35nm Si/Si1-xGex空穴型共振隧穿二极管(RTD)在室温下的I-V特性.模拟过程中,引入second upwind,Schafetter-Gummel(SG)和二阶中心差分法相结合的离散方法对方程组进行离散,保证了结果的收敛性.还模拟了不同的器件结构,对结果的分析表明器件的势垒厚度和载流子有效质量都会对RTD的负阻效应产生影响.在室温下(T=293K),当x=0.23时,模拟结果的峰谷电流比为1.14,与实验结果相吻合.     

Broyden算法在薛定谔方程和泊松方程自洽求解中的应用

利用Broyden算法,通过自洽求解一维半导体量子线的电子浓度分布和电势分布,和常用的牛顿法以及逐次超松弛(SOR)法相比较,确认了Broyden算法的收敛结果正确,并减少了达到收敛的迭代步数,是对于薛定谔方程和泊松方程组成的非线性方程组系统自洽求解的有力工具.     

High-k材料MOS器件的PISCES-Ⅱ模拟

High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用Hihg-k材料做栅绝缘层，是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿（Direct Tunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES－Ⅱ中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型，并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较，成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性，改进后的PISCES－Ⅱ程序，可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。     

室温下Si/Si1-xGex共振隧穿二极管的数值模拟

采用量子水动力学(QHD)模型模拟了35nm Si/Si1-xGex空穴型共振隧穿二极管(RTD)在室温下的I-V特性.模拟过程中,引入second upwind,Schafetter-Gummel(SG)和二阶中心差分法相结合的离散方法对方程组进行离散,保证了结果的收敛性.还模拟了不同的器件结构,对结果的分析表明器件的势垒厚度和载流子有效质量都会对RTD的负阻效应产生影响.在室温下(T=293K),当x=0.23时,模拟结果的峰谷电流比为1.14,与实验结果相吻合.