排序方式: 共有25条查询结果,搜索用时 247 毫秒
1.
为满足国内半导体器件单粒子效应(SEE)截面与温度的关系研究需求,本文基于北京HI-13串列加速器SEE辐照实验终端研制了样品温度测控系统,实现了90~450K范围内实验样品温度的测量和控制,系统控制精度好于±1K。为验证系统可靠性,使用该系统研究了SRAM单粒子翻转(SEU)截面随温度的变化关系,在215~353 K范围内测量了SRAM翻转截面随温度的变化曲线。结果表明,SRAM SEU截面随温度的升高而增加,与理论预期结果一致。 相似文献
2.
3.
4.
5.
每年的珠宝销售旺季,市场上总能听到不少珠宝企业为新品上市推广的叫卖声,也经常会出现这样的情况:任由你投入大量的广告去诉说你的新产品如何如何好,如何如何新,如何如何能满足人们的需求,消费者却依然不买账.每年总是有大量的珠宝商家在新品推广时只是在交学费,真正能进入消费者视野并被消费者接受的珠宝新品并不多. 相似文献
6.
空间辐射环境引起的微电子器件单粒子效应(sEE)是造成航天器工作异常和故障的重要原因之一。串列二厅正在建设的新管道及SEE靶室是专用于SEE效应研究的实验设备。在新管道的靶室内,装有大量RS232接口的串口设备,如电动平移台、电动升降台、电子快门等。在实验过程中,为避免实验人员进入二厅从而提高实验效率,需要在控制厅对这些串口设备进行远程控制。 相似文献
7.
8.
This paper tested and analyzed heavy ion and proton induced single event effects (SEE) of a commercial DC/DC converter based on a 600 nm Bi-CMOS technology. Heavy ion induced single event transients (SET) testing has been carried out by using the Beijing HI-13 tandem accelerator at China Institute of Atomic Energy. Proton test has been carried out by using the Canadian TRIUMF proton accelerator. Both SET cross section versus linear energy transfer (LET) and proton energy has been measured. The main study conclusions are: (1) the DC/DC is both sensitive to heavy ion and proton radiations although at a pretty large feature size (600 nm), and threshold LET is about 0.06 MeV·mg/cm2; (2) heavy ion SET saturation cross section is about 5 magnitudes order larger than proton SET saturation cross section, which is consistent with the theory calculation result deduced by the RPP model and the proton nuclear reaction model; (3) on-orbit soft error rate (SER) prediction showed, on GEO orbit, proton induced SERs calculated by the heavy ion derived model are 4-5 times larger than those calculated by proton test data. 相似文献
9.
65 nm工艺SRAM低能质子单粒子翻转错误率预估 总被引:1,自引:0,他引:1
质子单粒子效应是纳米工艺集成电路空间应用面临的主要辐射问题之一。本文开展了一款商业级65 nm工艺4 M×18 bit随机静态存储器(SRAM)质子单粒子翻转实验研究。针对地球同步轨道、低地球轨道,使用Space Radiation 7.0程序,预估了低能质子、高能质子和重离子引起的错误率。错误率预估分析结果表明,不同轨道及环境模型下低能质子错误率占总错误率的比例范围为1%~86%,其中太阳质子事件、地球俘获带等环境模型中低能质子单粒子翻转引起的错误率占主导,建议空间应用的元器件对低能质子不敏感。 相似文献
10.
高电荷态重离子束流产生技术的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
为了提高北京HI-13串列加速器束流的硅中射程和LET值,本文开展了高电荷态束流引出技术及pA级弱束流诊断技术研究。采用电刚度和磁刚度模拟技术,配合pA级弱束流束斑观测和束流强度监测技术,获得能量360 MeV、峰总比80%的197Au离子束流,其在Si中的表面LET为86.1 MeV•cm2•mg-1、射程为30.1 μm,满足单粒子效应(SEE)实验的要求,拓展了北京HI-13串列加速器上单粒子效应实验所用离子的能量和LET值范围。 相似文献