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以离子背散射和二次离子质谱分析了大剂量N~+离子注入A1形成的A1/A1N/A1多层结构。基于离子注入形成A1N埋层的机理,利用计算机程序动态模拟A1N层的形成过程及终态结构。研究发现,N/A1原子比饱和于A1N化学组分比,模拟与实验结果符合得很好;低能注入能降低形成A1N层的临界剂量,且A1/A1N界面更陡。 相似文献
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在注氧形成的SOI衬底上制作了P型MOSFET。本文研究了不同退火温度对材料形成与器件性能的影响。结果表明,1300℃以上的退火有利于改善SIMOX(Separation by ImplantedOxygen)材料性能,MOS晶体管具有非常低的漏电流。 相似文献
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本文报告了硅中注入大剂量O^+或N^+离子形成SIMOX或SIMMI的物理效应及计算机模拟结果;分析了SIMOX与SIMNI形成的不同机制,在注氧形成SIMOX结构的计算机模拟程序的基础上发展了注氮形成SIMNI结构动态模拟程序。实验与模拟结果符合很好,验证了现有的理论模型和程序所作的假设。多次注入与退火会减小SIMOX上层硅厚度,而增大SIMNI的上层硅厚度。低能注入可以获得良好的SOI材料,而 相似文献
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