153Sm-葡庚糖酸钠的制备

研究了制备条件对153Sm标记GH的影响及标记物的体外稳定性,建立了有效的153Sm标记葡萄糖酸钠(GH)方法。结果表明:用通氮敞开体系、沸水浴加热的标记方法,反应时间不低于30min,GH浓度不低于2.4×10-2mol/L时,可获得标记率大于98%的153Sm-GH;用高比活度153Sm(～4.5TBq/g(Sm))标记,其比活度可达14GBq/g(GH)。该标记物在室温下具有较好的稳定性,放置40h内,其放化纯度>96%。     

辐射伏特效应同位素电池换能单元的初步设计

初步设计制作3种辐射伏特效应同位素电池换能单元,测试其在固态63Ni源和3H源辐照下的输出电特性,对输出电特性进行数学解析模型分析并提出进一步改进设计的思路。结果表明,设计的换能单元在发射高能α同位素作用下,性能快速急剧退化;在2.96×108Bq的63Ni源辐照下,获得最大短路电流为28.4nA,最大开路电压为0.267V;在约5.09×109Bq的3H源辐照下,获得最大短路电流为62.8nA,最大开路电压为0.260V。当前换能单元参数还需进一步优化。     

Re-MDP(HEDP)中铼的氧化态测定

用电位滴定法和萃取法研究了Re-MDP，Re-HEDP中铼的氧化态。实验结果表明：Re-MDP反应体系中pH值越低，中心离子铼的平均氧化数越小；在pH值为2.0时用I3^-滴定，低价的Re(Ⅲ，Ⅳ）-MDP被氧化为Re(Ⅴ）-MDP；在pH值为2.5时，Re-HEDP中铼的氧化态主要为 4价，在pH值为2.0时I3^-滴定，Re(Ⅳ)-HEDP被氧化为Re(Ⅴ)-HEDP；在Vc Sn^2 的体系中，ReO4^-仅被Sn^2 还原，用I3^-滴定，Vc先于Sn^2 被氧化。     

重大动物疫病疫苗生产车间空调系统生物安全要点探讨

根据农业部最新发布的疫苗生产车间三级防护标准,结合相关生物安全规范、目前国内疫苗生产车间建设情况及笔者近些年设计、检测经验,对新形势下重大动物疫病疫苗生产车间空调系统生物安全的新要求进行了分析,从防护区范围、空调系统形式、压力梯度、围护结构气密性、关键防护设备及系统工况转换等方面探讨了应对措施,为同类建设项目的设计和施工提供参考。     

大断面绞车房的支护设计与施工方法

后组一采区轨道下山绞车房是翟镇矿第一个中心线垂直布置的断面最大的绞车房 ,十一层煤横贯其中 ,条件复杂 ,首次采用“喷锚喷、锚网喷”加锚索加固的二次支护新工艺。此支护设计合理、施工安全 ,快速优质 ,为类似峒室的施工积累了实践经验。     

特种微小电源设计与制作

为制作可以直接输出电流参数为短路电流Isc=1.6μA,开路电压Voc=1.0 V的特种微小电源,利用光伏效应设计并制作了以单晶硅PN结器件为转换单元的微小光伏电池电源。通过控制PN结器件结构参数和辐照光强度,使制成的微小电源输出电流参数完全可以满足要求。     

氚/单晶硅器件辐伏电池模型及样机的长期稳定性研究

采用氚化钛源原位辐照和加速器低能电子束加速辐照实验,研究基于氚化钛/单晶硅PN结器件的氚辐伏电池模型和实验室组阵型电池原型样机的长期稳定性。测试电池模型和电池样机的氚辐伏输出随辐照时间的变化,分析辐照对单晶硅PN结型器件的本征暗特性和器件表面层材料缺陷的影响。结果表明,氚化钛源原位辐照电池模型在115 d的辐照中辐伏输出没有明显的衰减,辐照后单晶硅器件的本征暗特性曲线变化微小。电池模型的加速器低能电子束加速辐照实验表明,加速辐照在相同电子注量下对电池造成远大于氚源原位辐照的性能损伤,但损伤仅在辐照最初期快速产生,随后基本保持稳定,电子顺磁能谱（ESR）测试加速辐照60 min单晶硅器件材料的缺陷没有明显增加。组阵型实验室电池原型样机在64个月的室温储存中,基本单元的辐伏输出性能衰减比氚的自发衰变衰减有小幅增大,增大幅度小于11.4%;另外,组阵中单元之间串并联电连接有部分失效,这是后续应重点关注的问题。     

GaN器件辐伏同位素电池的电输出性能研究

利用⁶³Ni和3H源分别辐照两种可作为辐伏电池换能单元的GaN基PiN结型器件,其输出短路电流（I_sc）和开路电压（V_oc）分别为：对于⁶³Ni源,I_sc＝5.4 nA,V_oc＝771 mV;对于3H源,I_sc＝10.8 nA,V_oc＝839 mV。其开路电压显著优于单晶硅基器件辐伏电池的输出结果,但与理论值有一定的差距。可能是GaN材料生长过程中产生的缺陷、电极欧姆接触不良以及器件结构等原因,导致短路电流和开路电压未能达到期望值。这些是提升GaN换能单元辐伏电池的电输出性能应解决的重要技术问题。     

钝化层结构对氚辐伏电池转换性能的影响

在辐射伏特效应同位素电池(辐伏电池)中,器件的辐伏转化性能不仅受限于换能器件所用的半导体材料、结构或加载放射源的种类,还受换能器件表面钝化层结构的影响。为在氚化钛源加载的平面单晶硅PN结辐伏电池(氚辐伏电池)中得到最佳的钝化效果,本文设计了3种不同的钝化层结构,考察其初始输出性能和抗辐射性能,并单独研究了氚化钛源出射的X射线对单晶硅换能器件的辐射损伤。结果显示:在辐伏电池初始输出性能方面,Si/SiO2/Si3N4结构Si/B-Si glass/Si3N4结构Si/Si3N4结构;在抗氚化钛源辐射损伤方面,Si/Si3N4结构Si/B-Si glass/Si3N4结构Si/SiO2/Si3N4结构,Si/B-Si glass/Si3N4结构具有最佳的抗X射线辐射衰减性能。氚化钛源出射的X射线对辐射损伤效应起主要作用,XPS结果显示,X射线长时间辐照造成了单晶硅表面平整性的破坏。