氧化硅在改善双极型晶体管特性上的作用

本文介绍了如何利用前人优秀的理论去改善双极型晶体管参数的课题：氧化硅作为优秀的绝缘材料覆盖在发射极多晶硅表面，确保了砷在快速热处理后的轮廓分布，从而使NPN型晶体管的放大倍数降低的同时增加了扩散致窄电阻的阻值；不连续的氧化硅作为宽禁带半导体材料被加在多晶硅和单晶硅的界面处，有效的提高了横向PNP晶体管的放大倍数。     

SDAS对A357合金时效过程的影响

铸造Al-Si-Mg合金是典型的可热处理强化铝合金,二次枝晶臂间距（SDAS）对合金力学性能有非常显著的影响,研究SDAS对合金时效动力学的影响有重要意义.采用硬度计进行力学性能测试、光学显微镜分析金相组织,研究了SDAS对A357合金时效动力学的影响.研究发现,在相同的固溶处理条件下,随着A357合金试样二次枝晶臂间距的增大,固溶处理后达到的硬度值减小;不同壁厚的合金试样的时效峰随SDAS增大而延后;对时效处理实验结果进行回归分析和量纲分析,得到时效力学性能的数学模型,并证明了该数学模型的有效性.     

采用EBSD技术分析热浸镀铝层的显微组织

采用热浸镀方法在Q235钢板表面制备了镀铝层,通过扫描电镜观察了镀铝层的微观形貌,利用电子背散射衍射技术分析了镀铝层/基体界面的相分布、晶粒微观取向以及晶粒尺寸。结果表明:镀铝层的相组成包括最外层的铝和靠近基体的Fe2Al5,其中柱状Fe2Al5随浸镀时间的延长而逐渐长大;铁和铝扩散速率的不同导致镀铝层中形成一些孔洞;Fe2Al5晶粒优先选择沿着扩散方向从镀铝层表面向基体内部生长,导致镀铝层界面不均匀生长而形成舌型柱状晶;界面处基体中α-Fe的晶粒取向是随机分布的,并未受浸镀时扩散反应的影响;Fe2Al5柱状晶内部存在一些小于5°的小角度晶界;Fe2Al5晶粒的平均直径约为20μm,而基体中α-Fe的约为8μm。     

Mn对冷轧Al-Mg—Si—Cu合金再结晶行为的影响

研究在不同退火温度下,Mn对冷轧Al-Mg-Si-Cu合金组织和性能的影响．通过绘制再结晶动力学曲线,测定不同Mn含量的Al-Mg-Si-Cu合金再结晶激活能和再结晶温度．实验结果表明,Mn可以有效的阻碍Al-Mg-Si-Cu合金再结晶行为．当w（Mn）〈0．7％,Al-Mg-Si-Cu合金再结晶起始温度随Mn含量的增加而提高,再结晶结束温度不变．再结晶激活能随Mn含量的增加而提高．     

钢板表面热浸镀锌层的拉伸断裂机理

采用热浸镀技术在Q235钢板表面制备了镀锌层,研究了浸镀时间对镀锌钢板拉伸性能的影响,通过扫描电镜观察了拉伸断裂后镀层表面、截面和断口处的形貌,分析了镀层的断裂机理。结果表明:与基体相比,Q235钢板热浸镀锌后的抗拉强度和塑性变形能力均下降;镀件抗拉强度的下降是由表面镀锌层强度低于基体的强度造成的;而塑性的下降则是由热浸镀时在基体表面形成的微裂纹造成的;由于残余应力的存在,微裂纹首先在σ-FeZn10层中形成,在受到拉应力时,裂纹沿晶界在σ-FeZn10层中向上扩展,然后在ζ-FeZn13层中裂纹沿着FeZn13/Zn的相界面扩展,最后在η-Zn层沿晶界扩展直至镀层发生完全断裂。     

氧化硅在改善双极型晶体管特性上的作用

提出了一种改善npn和横向pnp晶体管放大倍数、扩散致窄电阻(受EB和CB结结深影响的基区电阻)阻值而又不影响其他器件特性的方法.不连续的SiOx可以作为宽禁带半导体材料加在多晶硅和单晶硅的界面处来提高横向pnp晶体管的放大倍数,使其从目前的23提高到30;连续的SiOx作为优秀的绝缘材料覆盖在发射极多晶硅表面,可以确保As在快速热处理后的分布,结果表明npn型晶体管的放大倍数从170降低到110的同时增加了扩散致窄电阻的阻值.这种方法的优点在于利用了极易制造的SiOx改善了半导体器件特性,具有极高的实际应用价值.     

淤泥层与卵石层等软硬互层钻孔灌注桩施工技术

通过秦屿高架桥与巨口特大桥桩基工程的施工实践,介绍了淤泥层与卵石层等软硬互层钻孔灌注桩的施工技术.