ITO靶材热等静压致密化工艺研究

用化学共沉淀法制备的ITO复合粉末经冷等静压成形后进行热等静压致密化,热等静压时采用碳钢作包套,采用铜箔作隔层,实验研究了热等静压主要工艺参数对ITO陶瓷靶材致密化的影响,实验结果表明:靶材的相对密度在大约1000℃处有一峰值;相对密度随压力增加而增加;当保温温度较低时,适当延长保温时间有利于提高密度;当保温温度较高时,延长保温时间反而使密度降低,分析了ITO在高温下的分解行为以及这种行为对致密化的作用,还解释了ITO复合粉末部分脱氧使ITO陶瓷半导化的机理。     

硫化锌掺杂二氧化硅靶材致密化研究

硫化锌掺杂二氧化硅(以下简用ZnS+SiO2表示)靶材主要用于CD-RW,DVD-RAM光盘,它通过溅射方法在光盘上形成一层保护膜,以保证光盘的记录性能不受外界条件的影响.靶材的密度越高,溅射形成的膜的质量越好.ZnS+SiO2靶材可通过热等静压工艺或热压工艺获得,本实验采用真空热压工艺对ZnS+SiO2靶材致密化进行了研究,分析了主要热压工艺参数对ZnS+SiO2靶材密度的影响.最适宜的热压温度为1 250℃,压力为36 MPa,时间为3 h,采用此工艺参数制备的靶材相对密度达99.2%.     

高纯钽溅射靶材制备工艺进展

目前高纯钽溅射靶材的制备方法,主要为熔炼铸锭法和粉末冶金法,文章对两种方法制备钽靶材性能的特点进行了详述,同时对粉末冶金法制备高纯钽靶材的试验结果进行分析。针对目前国内外生产状况,展望了未来高纯钽溅射靶材的发展方向。     

铟锡氧化物陶瓷靶材热等静压致密化研究

用化学共常常法制备了铟锡氧化物（ＩＴＯ）复合粉末。粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化。热等静压时采用碳钢作包套,采用铜箔作隔层,实验研究了热等静压工艺参数－保温温度、保压压力和保温时间对ＩＴＯ陶瓷靶材致密化的影响。实验结果表明：靶材的相对密度在大约１０００℃处有一峰值;相对密度随压力增加而增加;当保温温度较低时,适当处长保温时间有利于提高密度;当保温温度较高时,延长保温时间反而使密度降低,分析     

基片温度对铌掺杂ITO透明导电薄膜性能的影响

采用磁控溅射法以铌(Nb)掺杂氧化铟锡(ITO)为靶材制备了厚度为300nm的ITO:Nb薄膜,研究了不同基底温度下,薄膜的结构、导电性和可见光区的透过率。XRD分析表明所制备的ITO:Nb薄膜均为In2O3相;AFM显示ITO:Nb薄膜的均方根粗糙度随着温度的升高逐渐变大;薄膜的电阻率随着温度的升高逐渐减小,在300℃时得到最小值1.2×10-4·cm。电阻率下降主要是因为霍耳迁移率增大和载流子浓度逐渐增加。ITO:Nb薄膜在可见光内的平均透过率均大于87%,且随着温度的升高,吸收边发生"红移",禁带宽度逐渐增加。     

ZnS靶材热学和力学性能测试研究

介绍了用激光脉冲法对热压ZnS(硫化锌)靶材的比热容、热导率测试和ZnS靶材线膨胀系数、抗弯强度测试方法的研究．试验证明：热压ZnS靶材有较好的热导率，在CD-RW(可读写光盘)的上下介电层应用上为记录层提供了很好的散热效果；ZnS靶材的线膨胀系数较低，有很好的尺寸稳定性；ZnS靶材有一定抗弯强度。     

影响大尺寸ITO靶材冷压质量的因素

对冷压大尺寸ITO靶材毛坯出现的靶材质量问题进行详细分析。实验表明:选用质量比为9∶1的In_2O_3与SnO_2粉末。将粉末配成固含量65%的溶液,添加ITO粉末质量的2%～3%的PVA粘结剂及2.5%的分散剂(活性剂)及稳定剂等,通过球磨,喷雾制粉,使粉末的含水量达到6%,过150目筛的粉末。采用改进模具、分段加压的冷压工艺,在冷压压力50～60MPa下,冷压大尺寸ITO靶材,可有效消除靶材毛坯掉边、分层及断裂等质量问题。     

硫化锌掺杂二氧化硅靶材致密化研究

硫化锌掺杂二氧化硅（以下简用ZnS＋SiO2表示）靶材主要用于CD-RW，DVD-RAM光盘，它通过溅射方法在光盘上形成一层保护膜，以保证光盘的记录性能不受外界条件的影响。靶材的密度越高，溅射形成的膜的质量越好。ZnS＋SiO2靶材可通过热等静压工艺或热压工艺获得，本实验采用真空热压工艺对ZnS＋SiO2靶材致密化进行了研究，分析了主要热压工艺参数对ZnS＋SiO2靶材密度的影响。最适宜的热压温度为1250℃，压力为36MPa，时间为3h，采用此工艺参数制备的靶材相对密度达99．2％。     

铟锡氧化物热等静压时分解氧对裂纹形成的作用

用化学共沉淀法制备的铟锡氧化物复合粉末经冷等静压成形后进行热等静压致密化所得靶村常常会产生裂纹。用电子探针分析了铟锡氧化物热等静压后裂纹外铟,锡和氧的成分分布。结果表明,裂纹处铟含量极低,锡含量极高,耐氧含理低于配比含量,这与Ｉｎ２Ｏ３和ＳｎＯ２在高温下不同的分解行为有关;     

纳米氧化锡粉体的制备及表征

以SnCl4·5H2O和NH3·H2O为原料,采用水热合成法制备出了粒度均匀的超细SnO2粉体。通过透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）,研究了纳米氧化锡粉体的形貌、尺寸分布和结构特征。SnO2颗粒平均粒径在10-20nm左右,呈不规则多面体,近似于球形,粒径分布窄,分散性良好。