TFT-LCD中耦合电容Cpd影响因素的研究

LCD显示效果依赖于液晶分子在电场作用下的旋转,液晶分子具有各向异性的介电常数,不同旋转角度的液晶分子,在相同电容器中,表现出不同的电容值。像素电极和数据线构成耦合电容器Cpd,过大的耦合电容Cpd值会导致数据线信号传输的延迟,影响像素电极周边液晶分子分布,使显示器的画面品质出现垂向块状云纹等不良。针对如何降低耦合电容Cpd值,本文对影响耦合电容Cpd的因素进行了一系列模拟,研究了耦合电容Cpd变化机理,得出了一系列降低耦合电容Cpd的结论。     

热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究

采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-SiH)薄膜.实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入热丝辅助系统能有效提高a-SiH薄膜的沉积速率并大幅改善薄膜的稳定性;薄膜的沉积速率随着沉积压强的增加和热丝温度的上升而增加.通过光致衰退实验,将样品衰退前后的红外吸收谱图进行基线拟合和高斯函数拟合,计算得到薄膜的氢含量基本不发生变化,但Si-H与Si-H2组态的相对含量改变.     

氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的影响因素

用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积制备样品,通过红外吸收谱图和光衰退图,分析影响a-SiH薄膜光衰退稳定性的因素一方面,非晶硅网格中氢含量、氢硅键合方式以及氢的运动情况均对非晶硅材料的稳定性起着十分重要的作用,另一方面,在非晶硅的基体上生长少量微晶硅,可提高薄膜的稳定性.最终希望能通过两者的结合来探讨如何制备高光敏性和低光致衰退的非晶硅薄膜.     

改善a—SiTFTLCD像素电极跳变电压方法研究

非晶硅薄膜晶体管液晶显示器（a—SiTFTLCD）中,在栅极信号由开启到关断的瞬间,由于栅源耦合电容Cgs的存在．使像素电极电压出现跳变,跳变前后像素电极电压差称为△Vp。降低△Vp一方面能减小闪烁程度,降低残像残留．同时还能最大程度地提高像素电极保持阶段的电压。防止出现因TFT漏电流过大而造成的像素电极电压衰变到所应显示灰度电压之下,从而出现显示灰阶的变化。本文从理论上分析了△Vp形成原理,介绍了两种能有效降低△Vp的方法．即多栅极电路和脉冲式存储电容。     

液晶介电常数对耦合电容的影响

采用2DMOS模拟软件对数据线与其相邻像素电极所构成的耦合电容Cpd进行了模拟,重点研究了介电常数对数据线左右侧的耦合电容Cpd的影响机理及趋势.通过模拟得出:数据线左侧的耦合电容Cpd主要受液晶层间的电场力影响,数据线右侧的耦合电容Cpd主要受到耦合电容Cpd间的电场力影响,而总耦合电容Cpd中占主要部分的是右侧耦合电容Cpd,因此可通过降低右侧耦合电容Cpd的方法来降低总耦合电容Cpd.