低能Ar^＋离子溅射合金表面组份变化的俄歇电子谱研究

用 AES分析了 AgCu、NiCr 合金受低能 Ar~+离子轰击后表面组份的变化,通过俄歇低能峰(LAES)和俄歇高能峰(HAES)的分析发现,离子轰击使合金表面组份达到相对稳定时,停止轰击后表面成分在短时间内有一个变化。离子轰击引起表面成分的变化发生在表面外层和以下数层内。随着轰击离子能量和束流密度的变化,表面最外层成分处于相对稳定和饱和的趋势,而亚表层内成分随之变化。对此,估算了这种变化对 AES 定量分析的影响,并对离子轰击诱导表面偏析和增强扩散效应进行了讨论。     

基体离子碎片比指示灵敏度因子法在分析铁基材料中的应用

讨论了基体离子碎片比指示灵敏度因子(MISR)的经验定量分析方法在分析铁基材料中的应用。利用37、SST 作为标准样品,测出了元素 Fe、Cr、Ni、Ti、C、Si、Mn的灵敏度因子校正曲线,并由实验证实了这些校正曲线对铁基材料具有一定的普遍意义;证明MISR 法可以在一定程度上补偿一般灵敏度因子法所不能补偿的相对离子产额的波动。     

离子溅射合金表面组份再分布的模拟计算

离子溅射合金和化合物后会引起表面成分的再分布。根据 Kelly 的理论分析观点,综合考虑了择优溅射(PS),离子辐照诱导偏析(RIS)和辐照增强扩散(RED)效应,得到了合金表面成分变化的基本关系。用此分析关系对 Au—Cu、Cu—Ni 合金离子轰击后表面成分的变化、Au—Pd 和 Cu—Ni 合金离子轰击后的 X 射线光电子谱、俄歇电子谱的分析结果进行了模拟计算,计算结果与实验完全吻合。通过分析计算认为,离子辐照增强扩散系数的大小对表面成分的变化有很大的影响。初步计算得到的增强扩散激活能约为0.09eV,与实验结果(0.06eV)相一致,约为通常热扩散激活能的二十分之一。     

ITO透明导电薄膜XPS深度剖面分析

介绍了镀制SiO2的ITO透明导电薄膜的性能特点,描述了用X射线光电谱仪对典型产品深度剖面的分析过程,给出了实验结果.     

CRT的防护屏与防静电减反射薄膜

本文介绍了用于视频终端ＣＲＴ上各种防护屏的主要特点，详细地讨论了防静电减反射玻璃防护屏。     

氮化钛膜AES叠峰的因子分析法分析

因子分析法是利用各种谱峰的峰形进行成分定量分析的方法,广泛应用于多种成分的混合物、化合物的谱峰分析。通过对因子分析法(FA)的数学过程及其物理意义的进一步分析,对应用 FA 对氮化钛的俄歇电子谱(AES)叠峰进行谱蜂分解和定量计算进行了研究。由于缺乏纯 N 谱峰,采用化合物(Si_3N_4、BN)中的 N 谱和纯 Ti 谱作为 TiN_x 谱中 N 和 Ti 的标准谱峰。为解决化学效应影响定量计算的问题,提出了两次迭代的分析方法。这种分析是以线性分析为基础的非线性的处理过程。应用 FA 法的两次迭代分析获得了较好的 N/Ti 原子比,分解了Ti 和 N 的叠峰,分解的峰形叠加得到的峰形与原峰形拟合的很好。     

发展中的真空科学——第十三届国际真空会议侧记

本文介绍了第十三届国际真空会议和第九届国际固体表面会议（ＩＶＣ－１３／ＩＣＳＳ－９）的情况。作者结合会后参观并与前三届会比较，指出我国真空科学发展中存在的问题     

碲镉汞材料及工艺控制的分析方法

随着碲镉汞红外器件的小型化、高品质化和性能的提高,对原材料的纯度、器件工艺质量控制方法提出了更高的要求。就分析方法而言,不仅要求有高的定量分析精度,同时要求分析方法对杂质元素的分析范围广(多元素分析)、元素的探测灵敏度高。对器件工艺控制分析来说,除了基体元素成分、杂质元素的定量分析外,还要求分析方法能在横向和纵向分析,并有相当的空间分辨率。就上述要求给出了碲镉汞材料提纯、CMT(碲镉汞,Cd(?)Hg(?)Te)晶体生长及器件工艺控制分析的主要分析技术方法、特点及其进展。讨论了基体元素定量分析的精度,痕量元素定量分析的能力、灵敏度及其进行深度剖面分析的深度分辨率。     

中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀

多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时，应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺，如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺，存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工，做了大量实验、质谱分析和多项测试研究，成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀，做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。