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用 AES分析了 AgCu、NiCr 合金受低能 Ar~+离子轰击后表面组份的变化,通过俄歇低能峰(LAES)和俄歇高能峰(HAES)的分析发现,离子轰击使合金表面组份达到相对稳定时,停止轰击后表面成分在短时间内有一个变化。离子轰击引起表面成分的变化发生在表面外层和以下数层内。随着轰击离子能量和束流密度的变化,表面最外层成分处于相对稳定和饱和的趋势,而亚表层内成分随之变化。对此,估算了这种变化对 AES 定量分析的影响,并对离子轰击诱导表面偏析和增强扩散效应进行了讨论。 相似文献
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离子溅射合金和化合物后会引起表面成分的再分布。根据 Kelly 的理论分析观点,综合考虑了择优溅射(PS),离子辐照诱导偏析(RIS)和辐照增强扩散(RED)效应,得到了合金表面成分变化的基本关系。用此分析关系对 Au—Cu、Cu—Ni 合金离子轰击后表面成分的变化、Au—Pd 和 Cu—Ni 合金离子轰击后的 X 射线光电子谱、俄歇电子谱的分析结果进行了模拟计算,计算结果与实验完全吻合。通过分析计算认为,离子辐照增强扩散系数的大小对表面成分的变化有很大的影响。初步计算得到的增强扩散激活能约为0.09eV,与实验结果(0.06eV)相一致,约为通常热扩散激活能的二十分之一。 相似文献
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纳米固体具有一系列特殊的性能。一般认为这些特性在很大程度上由纳米固体的特殊徽结构一很高浓度的缺陷（界面组元、空隙、位错等）、特殊的界面结构及缺陷组成所决定的。讨论了纳米固体的界面组成、结构及其影响界面结构的主要因素，评述了纳米固体材料的界面对其机械性能的影响，简要讨论了界面变化引起这些性能变化的机理。 相似文献
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深度分辨率和定量分析精度是薄膜组份深度剖面分析中两个基本物理量。首先从实际应用的角度出发.讨论了薄膜成分的俄歇深度剖面定量分析中的几个主要问题。其中包括溅射离子能量、入射角度和样品的化学组成对深度分辨率的影响及其优化。给出了组份溅射深度剖面定量分析方法。提出了定量分析中进行离子溅射修正、基本效应修正和深度定标的具体方法和措施。 相似文献
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随着碲镉汞红外器件的小型化、高品质化和性能的提高,对原材料的纯度、器件工艺质量控制方法提出了更高的要求。就分析方法而言,不仅要求有高的定量分析精度,同时要求分析方法对杂质元素的分析范围广(多元素分析)、元素的探测灵敏度高。对器件工艺控制分析来说,除了基体元素成分、杂质元素的定量分析外,还要求分析方法能在横向和纵向分析,并有相当的空间分辨率。就上述要求给出了碲镉汞材料提纯、CMT(碲镉汞,Cd(?)Hg(?)Te)晶体生长及器件工艺控制分析的主要分析技术方法、特点及其进展。讨论了基体元素定量分析的精度,痕量元素定量分析的能力、灵敏度及其进行深度剖面分析的深度分辨率。 相似文献
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通过对体均匀掺硅和离子注入硅样品的二次离子质谱（ＳＩＭＳ）深度剖面分析，采用均匀体标样法、剖面二次离子强度积分法和ＬＳＳ理论关系计算获得了比较一致的、且与手册值接近的ＧａＡｓ中硅元素相对灵敏度因子值。将相对灵敏度因子法应用于双能量、双剂量硅离子注入ＧａＡｓ样品及分子束外延多层ＧａＡｓ膜渗硅的ＳＩＭＳ定量分折中。从实验结果初步讨论了ＧａＡｓ中氧和碳元素的存在对２８Ｓｉ－、１０３ＳｉＡｓ－二次离子信号强度的影响，２８ＳｉＡｓ－和１０３Ｓｉ－二次离子信号强度的线性关系和可靠性。 相似文献
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在Hg1-xCdxTe材料的AES分析中 ,由于分析电子束辐照作用 ,可诱导表面Hg原子的脱附和热升华 ,导致短时间内样品表面严重失Hg ,使AES定量分析结果产生很大的误差。实验结果表明 ,在超高真空中分析电子束辐照下局部Hg元素的挥发损失以负指数关系进行。通过选择离子束溅射速率大于电子束蒸发速率 ,并在溅射的同时进行俄歇信号收集 ,则可减小或消除分析电子束对元素Hg的蒸发作用 ,获得稳定的俄歇信号。实验结果还指出 ,溅射离子束的参数会影响元素的相对溅射产额 ,具体定量分析时应选择相同的溅射条件 相似文献
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杨得全 《真空科学与技术学报》2000,20(1):31-36
有序分子薄膜由于其特殊的结构而表现出优异的性能。为此,人们对微结构与宏观性能之间的关系极为重视。本文重点讨论了近年来X射线光电子能谱在有序分子薄膜位结构分析中取得的结果及其应用情况。其中包括薄膜厚度的确定、薄膜-基底界面结构、分子之间的相互作用情况及其有序分子结构对薄膜电学、气体敏感特性等宏观性能的影响。研究结果说明,X射线光电子能谱由于其对薄膜的损伤小、表面探测灵敏度高和较高的能量分辨能力,因此是确定有序分子薄膜微结构的重要手段之一。 相似文献
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