氧等离子体处理对氧化铟锡表面化学状态影响的ADXPS研究

利用变角X射线光电子谱对氧等离子体处理前后氧化铟锡ITO薄膜的表面化学状态进行了表征.实验发现用溶剂清洗之后的ITO薄膜表面存在一层厚度大约为0.7nm的非导电碳氢化合物污染层.氧等离子体处理方法可有效地消除C污染,而残存的少量污染C被部分氧化形成含羰基和羧基的化学物种.氧等离子体处理不仅提高了约5.0nm深度范围内的ITO薄膜表层中O的总体含量,更重要的是提高了膜层中O2-离子氧种的含量,改变了膜层化学结构,使得ITO薄膜表面的导电性能降低,同时改善了整个表面层化学结构的均匀性.     

La-Ce-Cu复合金属氧化物的结构表征及催化性能

本文用ＮＨ４ＮＯ３共熔法合成Ｌａ－Ｃｅ－Ｃｕ系列样品。用ＸＲＤ分析了ＣｅＯ２在铜酸镧盐中的溶解度,发现大量ＣｅＯ２存在时,Ｌａ２Ｏ３、ＣｕＯ的加入导致原晶体结构发生变形,生成少量铜酸镧盐。ＸＲＦ分析了系列样品组成均为氧缺陷型化合物。ＸＰＳ研究发现,含大量ＣｅＯ２的样品高温焙烧后在ＣｅＯ２表面生成复合金属氧化物Ｌａ２ＣｕＯ４,最表面一层为少量Ｌａ２Ｏ３,并确定了其中Ｏ的属性。利用ＴＥＭ研究了部分样品的表面结构,同时研究了其ＣＯ催化氧化活性。     

取代装饰铬的纳米Sn-Co-X合金

装饰铬在全世界的市场需求量是硬铬的3倍,长期以来镀铬工艺是众所周知的有毒工艺,由于电镀纳米Sn-Co-X合金具有与Cr6+非常接近的颜色及更好的耐腐蚀性,且对环境和人体安全,是取代Cr6+与Cr3+的极好选择。纳米Sn-Co-X的耐腐蚀性优于Cr6+和Cr3+,更优于常规晶态的Sn-Co合金。用扫描电镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)和原子发射光谱(AES)对纳米Sn-Co-X合金的微观结构及腐蚀前后的表层变化进行了分析,阐述了纳米Sn-Co-X合金优异的耐腐蚀性机理。     

俄歇化学位移影响因素分析

对几种硅化物及金属氧化物的俄歇化学位移作了实验研究，基于现有的化学位移的两个理论模型（电荷势模型和驰豫能模型），提出了俄歇化学位移的半经验计算关系式，概括了俄歇化学位移与元素的化合价、相邻原子的电负性差以极化能（离子有效半径）之间的关系，实验结果与理论计算相一致。     

新型摩擦表面再生剂的摩擦学性能研究

利用自制的摩擦实验台研究了以天然矿物为主的摩圣摩擦表面再生剂在轴瓦材料上的摩擦学性能;用光学显微镜、扫描电子显微镜和能量散射谱仪(EDS)对摩擦表面进行了分析。摩擦磨损实验表明,润滑油中加入摩圣后,摩圣粒子增加了润滑油膜的强度和承载能力,可以减小摩擦系数50%以上,提高抗磨性能8倍以上,具有优良的摩擦学性能。同时,微观分析表明,微小的摩圣矿物粒子大量嵌入摩擦表面,可对摩擦表面起到强化和修复的作用。     

聚对苯二甲酸丁二醇酯的断口起裂形态

本文应用扫描电子显微镜和x射线光电子谱仪研究了聚对苯二甲酸丁二醇酯的断裂源特征。论述了起裂区的三种断裂形态。实验表明,结晶丛生聚集是造成脆性断裂的重要原因。采用拓扑学描述网格形态,找到了半定量对比分析脆、韧性断裂的公式。提出了凹涡的成因是裂纹多发性萌生成长的结果。     

Pt扩散阻挡层对PZT/Si薄膜化学结构和性能的影响

运用XPS和AES研究了Pt扩散阻挡层对PZT薄膜／Si界面化学结构和性能的影响：在PZT薄膜和Si基底间增加Pt扩散阻挡层，可以抑制TiCx物种和TiSix物种的形成，促进PZT薄膜的形成反应。Pt扩散阻挡层的存在阻断了氧和Si的相互扩散反应，促进PZT物种形成钙钛矿型晶体结构，使得形成的PZT薄膜具有和体相材料相近的高介电常数和铁电性能。     

Au/Si3N4体系电迁移特性的ADXPS研究

运用变角Ｘ射线光电子谱和原子力显微镜技术对沉积于Ｓｉ３Ｎ４衬底表面上的纳米级Ａｕ薄膜的电迁移特性进行了实验研究。结果表明：在电场作用下,薄膜表面的微观结构发生了变化,Ａｕ的晶粒趋向细化,膜层趋于均匀,表面粗糙度降低;电迁移过程中 Ａｕ与衬底 Ｓｉ３Ｎ４发生了界面化学反应,生成了 Ａｕ的硅化物ＡｕＳｉｘ。