激光在薄膜生成中的应用

1985年激光与电子光学会议(CLEO85)于5月21～24日在美国巴尔的摩市会议中心举行,会议报告了不少激光在薄膜中的应用。 Allied公司报告了准分子(ArF)激光器诱发的化学汽相淀积硅化钛膜。薄膜在450℃淀积,650～750℃老化,得到电阻率为20～25微欧·厘米的光谱TiSi_2膜。     

激光修改化学气相沉积掩模技术

日本电气株式会社报导:他们研制成功激光化学气相沉积掩模修改装置,该装置可对制作大规模集成电路使用的照相掩模白点缺陷进行高速修复。在大规模集成电路的掩模制作中,常出现黑点和白点两种缺陷,对黑点缺陷的修改方法是用激光照射到掩模上,使被照射部分蒸发;而对白点缺陷修补起来就比较困难。     

控制原子层形成生长单晶硅

日本电子技术研究所利用控制半导体原子层的形成生长单晶硅技术首次获得成功。这对于引入注目的超晶格半导体器件及光电集成电路等新型电子器件的发展,有可能起到推进作用。     

多层薄膜传感器的研制和应用

以往,高速流中物体表面热流的测量主要采用1.薄膜热流计法;2.热量计法;3.利用物体内部的定常温度梯度法;4.利用色变和相变涂料法。后三种方法的空间分辨率和响应特性差。第一种方法虽具有空间分辨率高和响应快的优点,但不适用于像超高速风洞那样的气流持续时间短的风洞。为了解决上述热流测量问题,日本九洲大学航空工程系研制一种既能用于低速风洞又能用于超音速风洞,具有高的空间分辨率和高速响应特性的新型薄膜热流传感器。它的结构是在黄铜柱体表面上形成的约10微米厚的一氧化硅热电阻膜,再用真空蒸镀法在电阻膜上下表面     

真空与低温应用集锦

据《日经产业新闻》2月29月报道:日本科学技术厅金属材料技术研究所的太力川恭治教授最近开发成功一种真空冶金新技术。用这次技术制作的 V_3Ga 超导线材料,与用传统的扩散法制成的相比,具有临界电流密度高、性能稳定、生产成本低等优点。这种超导线材料可望在将来用作核聚变炉和高能粒子加速器中的超导电磁石。新的真空冶金技术的基本原理是,先用电流放电使原料钒和铜熔融,钒是树枝状结晶并散置在铜中成为合金;再将该合金锻压成带状,然后涂上镓层,经长时间高温热处理,合金中的钒、镓反应生成 V_3Ga 超导材料。     

“空间实验室一号”的实验结果

美《空间世界》84,4号报道:1983年底,美国航天飞机将美国和西欧联合制造的“空间实验室一号”送入地球轨道运行,经过为期9天的空间物理实验后,顺利返回。有关人员普遍认为这次在太空进行的主动空间物理实验是很成功的,获得了大量的实验数据,数学信     

用离子注入提高钛合金人造关节的使用寿命

英国原子能委员会Har Well公司的一项研究表明,用离子注入法,能将用于人造关节的钛合金的磨损率大辐度降低,其耐磨性能提高达400倍。因而该人造关节的使用寿命可延长到三十年之久。人造髋关节是由金属股骨和塑料髋臼构成的。     

碳纤维复合材料的表面处理

为了提高碳纤维增强树脂基复合材料(CFRP)的层间剪接强度,已经研究了各种表面处理技术,以改善碳纤维和基体树脂间的粘接性。1.表面氧化法一般可分为三种方法。1.气相氧化法。通过两种途径完成。一是将纤维通过高温气体;二是将加热了的碳纤维通过气体。以CO_2和NO_2气体的处理效果为好。还可以采用高频脉冲等方法来活化气体处理碳纤维。优点是操作简便、处理时间短、效果较好。不足之处是碳纤维失重严重,抗拉性能损失较大;2.液相氧化法。将碳纤维通过氧化池进行氧化处     

光激发分子层外延法——生长出厚度为一个分子层的砷化镓单晶

日本东北大学电气通信研究所所长西泽润一教授用“光激发分子层外延法”生长出厚度为一个单分子层(2.5埃)的优质砷化镓单晶。在半导体器件研究方面又有了新的进展。这种砷化镓材料有可能成为未来超高速计算机所必需的超大规模集成电路的材料。     

开发出新型信息处理器件

日工业技术院电子技术综合研究所最近研制成新型信息处理器件,它能够把模拟信息转换成数字信息。其原理是将约瑟夫逊器件中产生的磁束量子(磁场的最小单位)作为信息的媒介,因而被称为磁束量子器件。与现有的约瑟夫逊器件相比,动作速度相同,但耗电量约为十分之一到百分之一。预期这个器件可在超高速、低耗电记忆线路上应用。