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采用盐酸、氢氟酸和硝酸的混合酸于140℃温度下加压消解样品4 h,待样品溶解完全后,选择仪器测定的最佳工作条件,采用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定高温合金中的硅.通过选择硅元素的灵敏线,确定了以251.611 nm光谱线作为硅的分析线,并对仪器的工作条件进行了优化,优化后最佳的仪器工作条件为:射频功率1050 W,观测高度14 mm,雾化气流量0.6 L/min,辅助气流量1.0 L/min,冷却气流量12 L/min.基体干扰通过在标准溶液中加入与样品同量的基体元素进行基体匹配的方法消除.在此工作条件下,对GH140高温合金样品中硅含量进行测定,相对标准偏差均小于2%,用于标准样品中硅的测定,测定结果与标准值相符. 相似文献
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以Ni∶Cr=3∶1的双金属层作为催化剂,用C2H2为碳源气体利用化学气相沉积(CVD)法,在不同的温度下制备纳米碳管.扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)研究制备产物发现:当制备温度高于900℃时,没有纳米碳管生成,制备温度在700~800℃之间纳米碳管中填充有一些离散分布的金属Ni纳米线,制备温度在650℃有纳米碳管生成,但是纳米碳管中没有发现纳米线的填充.通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)分析发现,纳米线是以液态或是粘滞液态填充进纳米碳管.根据实验结果,提出了一个在本实验条件下纳米线填充进纳米碳管的气-液/固-固V- L/S -S(vapor- liquid/solid-solid)模型,这个模型能解释一些传统的V-L-S(vapor- liquid -solid)模型不能解释的实验现象. 相似文献
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