多流程板壳式换热器流量分布特性的模拟与优化

以多流程板壳式换热器为研究对象,建立了板程与壳程的物理模型并进行数值模拟,分析了流速、流道数对流量分布特性的影响及流量分布特性对传热效率、压降的影响。通过增大导孔直径和改变入口角度对板程进行了优化,通过设置双入口和增加挡板对壳程进行了优化。研究表明:多流程板壳式换热器的板程与壳程均存在严重的流量分布不均匀现象,且板程要比壳程更为严重,不均匀性会随流速和流道数的增大而增大,并导致板程传热效率下降6%～14%、壳程下降2%～5%,且均造成压降的增大;增大导孔直径和改变入口角度均有利于板程流量的均匀分布,但效果有限,双入口模式可以很好地改善壳程流量分布的不均匀性,而添加挡板虽使不均匀性降低,但是造成了压降的增大。     

加速器联机装置运行状况

2008年武汉大学加速器联机系统初步建成,200 kV离子注入机至透射电镜束线进行了运行调试,开展了气体离子注入单晶Si、GaAs、Ag纳米晶和超临界反应堆材料(C276和6XN)的原位结构研究。结果表明,样品在注入至一定剂量时发生明显多晶和非晶化,单晶Si出现非晶化的临界剂量在10~(14) cm~(-2)。C276材料经1×10~(15)cm~(-2)的Ar离子辐照后,产生尺寸3-12 nm的位错环,其密度随剂量提高而增大,至5×10~(15)cm~(-2)出现多晶,剂量超过3×10~(16) cm~(-2)出现非晶化。在加速器-电镜联机光路上安装在线RBS靶室对离子束辐照材料进行元素成分和晶格定位测试。靠近电镜端安装50 kV低能离子源,开展核材料中氦泡形成过程的原位观测。对RBS/C装置进行数字化改造,用Labview控制系统运行,目前可进行计算机控制的背散射沟道测试。     

STRUCTURE EFFECTS OF SILICON AND CARBON BY CLUSTER MASS SPECTRA

Microclusters from different structures of silicon and carbon are studied by SIMS under UHV conditions in the mass range below M=200. The sputtered mass spectra of ions Sin+, Cn+ and Cn were obtained from the 10 keV O2+ primary beam bombardment. Comparisons of each spectrum in each group have shown the strong structure effects on the cluster patterns. A brief discussion on the results has been given.     

金属中氦的特性及不锈钢氦脆问題

本文综述了有关金属中的氦的国外文献,扼要介绍了研究概况及目前水平,着重讨论了金属中氦的形态、迁移及分布特点,以及其宏观效应和不锈钢氦脆问题。文中还包括了作者对316L型不锈钢的部分研究成果。     

离子束混合诱导稀土金属Ce与Si的界面反应及硅化物的形成

本文详细讨论了离子束混合下,Ce/Si〈100〉双层膜体系界面反应的动力学过程以及硅化物的形成规律.样品经150KeV Ar离子注入,辐照温度从LNT到300℃,剂量从5×X10~(14)到8.1×10~(16)Ar/cm~2.界面反应形成的硅化物为CeSi_2,其结构为体心正交结构.硅化物是分层生长的,厚度与注入剂量的平方根成线性关系,这说明界面反应是扩散控制的.与近贵金属/硅体系和难熔金属/硅体系相比较可以看出,稀土金属Ce/Si体系的相变过程与难熔金属/硅体系的相似;而混合的动力学行为与近贵金属/硅体系的相似.本文还讨论了化学驱动力和辐射增强扩散对混合的贡献.     

In_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs应变异质结的离子沟道分析

本文采用Li离子作为背散射-沟道实验的分析束来研究In_(0.75)Ga_(?)As/GaAs应变异质结的结构.沟道效应和角扫描的实验表明,由于晶格失配,异质结的点阵发生应变,晶格常数在生长方向产生～0.04A的拉伸或压缩,于是离子沟道在<110>倾斜方向发生0.9°的扭折,导致沿这个方向的严重退道.对较厚外延层的样品,除应变结构外,在生长过程中还形成失配位错结构及其他点阵缺陷,从而产生附加的退道。     

MeV He~+微束用于半导体集成电路的微区分析

本文介绍了我国用于微区分析的MeV离子微探针设备及其在半导体集成电路中的应用,能量为2MeV的He~+束通过一套限束系统,然后由四单元四极磁透镜聚焦到样品表面的束直径为3μm,束流为300pA.利用该设备分析了半导体集成电路中几个不同区域的元素成份及深度分布.     

DEPTH PROFILING OF ~1H AND/OR ~4He IN SOLIDS BY ERD WITH ~(19)F IONS

1H or 4He depth profiling in 1H or 4He implanted silicon samples was performed by elastic recoil detection (ERD) with multicharged 19F ions at a small accelerator. Optimization of the experimental parameters such as incident ions energy and scattering geometry were calculated by computer simulation. Depth resolution of about 20-30nm at depth of 400nm for 1H and at depth of 300nm for 4He can be obtained, respectively.