国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS

研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律.实验结果表明,在100 rad(Si)/s和0.01 rad(Si)/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad (Si)时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总剂量值不断累积而增大,且并未出现饱和.相同剂量率辐照下,发射结施加反偏状态时国产商用pnp双极晶体管的过剩基极电流变化最大,正偏下最小,零偏介于二者之间.两款晶体管均表现出明显的低剂量率损伤增强效应(ELDRS),且在反偏下ELDRS更显著.并对出现这一实验结果的损伤机理进行了探讨.     

不是科幻——神奇的自修复材料

正在生活中,我们离不开各种材料的帮助。塑料、橡胶、混凝土、金属……各种各样的材料构筑了今日世界的样子。随着日常的使用,材料总会逐渐破损乃至毁坏,而对其修补更是费时费力。那么,我们能否制造出可以自行修复的材料呢?设想某天你和朋友一起外出爬山,山坡上树木茂盛、荆棘丛生,这给你们的旅途带来了不小的麻烦。当你终于到达山顶时,你发现自己已经付出了不小的代价:锋利的树枝不仅在你的衣服上划出几个口子,还在你的身上留下了多处划     

基于属性度的属性排序算法

形式概念分析是一种从形式背景进行数据分析和规则提取的强有力工具。属性拓扑作为一种新型的形式背景表示方法,直观地描述了属性之间的关联。利用属性拓扑可以更方便直观地计算形式概念和概念格。经过对现有属性拓扑的算法与流程的研究,分析了现有属性排序算法的特异性和层次局限性,通过结合度的概念,提出了一种属性衡量的新方式--属性度,并提出了基于属性度的属性排序算法。这种排序算法得到的结果更加灵活,消除了属性排序的层次局限性,对父属性的查找有明显的优势,为基于属性拓扑中的属性排序方法提供了指引方向。     

双极电压比较器高低剂量率辐照损伤特性

为研究双极电路在空间辐射环境下的损伤规律,对典型双极电压比较器进行不同偏置条件下60Co-γ高低剂量率辐照试验。结果表明:电压比较器的输入偏置电流、开环增益和输出低电平等参数在电离辐射环境下均发生不同程度的退化,且都表现出低剂量率辐射损伤增强效应。通过进一步分析比较器敏感参数的变化规律以及电路级的具体退化模式发现,偏置条件对于电压比较器的辐照损伤特性有很大影响。