Si(111)衬底上六方YMnO3薄膜的制备与铁电性质

采用化学溶液法在Si(111)衬底上制备了YMnO3薄膜.XRD结果表明,所制备的薄膜为六方纯相YMnO3,且具有部分择优取向生长.以Pt为顶电极,测试了YMnO3薄膜的电滞回线,结果表明,所制备的YMnO3薄膜具有良好的铁电性质.     

碳球修饰TiO_2阳极薄膜对染料敏化太阳能电池性能的影响

为了提高电池的光电转化性能,将不同量的碳球加到二氧化钛糊中,经550℃高温退火30min到50min后制备了高比表面积的纳米二氧化钛薄膜阳极,该二氧化钛薄膜阳极经XRD、BET、HR-TEM、XPS表征,并进行了电化学实验,结果证明被1.0%碳球修饰的薄膜阳极由于具有较高的比表面积而吸收了较多的染料并获得4.17%的光电转化效率。     

内腔倍频单共振光学参量振荡器输出特性分析北大核心CSCD

连续波单共振光学参量振荡器(SRO)的阈值和稳定运转与共振信号光在谐振腔内传播一周所产生的损耗密切相关。考虑非线性晶体的线性吸收和内腔倍频(IFD)引入的非线性损耗,在平面波近似下建立了描述连续波IFD-SRO输出特性的理论模型,并给出了解析解;理论计算结果与实验结果较好地吻合。根据该结果,预测了532nm绿光抽运的IFD-SRO在共振信号光波长为780nm时的输出特性和1064nm红外光抽运的IFD-SRO在共振信号光波长为1560nm时的输出特性。该理论模型简单、易于计算,为优化设计连续波IFD-SRO提供了指导。     

硫系Ge-As-S玻璃和薄膜的特性

用差热分析，X射线衍射分析和透射光谱分析等手段研究了硫系Ge-As-S玻璃和薄膜的性能，结果表明，Ce-As-S体系的成玻能力较强在空气中自然冷却就能成玻，其（Tg-Tc)/Tg值为0.127-0.289，经激光辐射后的Ge-As-S玻璃薄膜的透射光谱曲线向短波方向移动，且平移的大小随激光功率的增加而增加，薄膜的透射光谱线的平移表明激光辐射导致薄膜光致结构变化，利用电子束辐射极化，通过Maker条纹测试方法在Ge-As-S玻璃中观察到二次谐波。     

光纤技术在矿井瓦斯监测中应用的研究

介绍了近期光纤瓦斯气体传感器的发展状况,分析对比了现有光纤瓦斯传感器的系统结构、基本原理及其各自的优缺点;针对现有光纤瓦斯传感器的不足,提出了一种新型光纤光栅瓦斯传感器的设计方案;最后对瓦斯气体感器的发展方向作出预测。     

ZnO基材料的压电、铁电、介电与多铁性质研究进展

ZnO是一种纤锌矿结构的第三代宽带隙半导体材料,在光电和铁电器件领域具有优良的应用前景.本文综述了近年来ZnO材料在制备与诸如压电、铁电、介电与多铁等物理性质方面的研究进展,指出了ZnO在铁电、介电与多铁性质研究方面中存在的问题,并提出解决的思路.     

一种可见光波段光学限幅器的研究

研究了八异戊氧基钯酞菁 (octa PdPc)掺杂有机改性溶胶 凝胶玻璃反饱和吸收和热散焦光限幅特性 ,初步研究了一种室内防护的可见波段脉冲和连续激光限幅器。对于 488nm波长 ,当限幅器的孔径为 2 2cm时 ,使用一层厚度为 1mm的octa PdPc限幅介质 ,得到的透过率≤ 30 %;在不改变孔径的情况下 ,增加一层相同厚度的octa PdPc限幅介质 ,得到的透过率≤ 9%。通过调小孔径或增加介质层数 ,限幅性能可进一步提高。对于 6 32 8nm ,5 14 5nm和 45 7 9nm波长的光 ,与 488nm具有相似的限幅特性。     

C面蓝宝石衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征

采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了CsHs气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C3Hs气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长在开始阶段受表面反应控制,而后受质量输运控制.所得到的结晶质量最好的6H-SiC薄膜,其摇摆曲线半高宽为0.6°,已经达到单晶水平.没有使用A1N过渡层,制备出结晶质量更好的SiC薄膜,表明对于蓝宝石衬底上SiC薄膜的生长,起决定性因素的是温度,过渡层不是影响SiC薄膜结晶质量的主要因素.     

Si(111)衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征

在Si(111)衬底上,采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延出结晶质量良好的SiC薄膜.低温光致发光谱表明该薄膜属于6H-SiC多型体.X射线衍射图表明该薄膜具有高度的择优取向性.扫描电子显微镜图表明该薄膜由片状SiC晶粒组成.拉曼光谱和透射电子衍射谱的结果进一步表明该薄膜具有较高的结晶质量.对Si(111)衬底上6H-SiC薄膜的生长机制进行了初步探讨.