| C面蓝宝石衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征 |
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| 引用本文： | 郑海务,苏剑峰,顾玉宗,张杨,傅竹西.C面蓝宝石衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征[J].材料研究学报,2008,22(1):37-41. |
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| 作者姓名： | 郑海务 苏剑峰 顾玉宗 张杨 傅竹西 |
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| 作者单位： | 微系统物理研究所,河南大学物理与电子学院,开封,475001;中国科学技术大学物理系,合肥,230026;中国科学技术大学物理系,合肥,230026;微系统物理研究所,河南大学物理与电子学院,开封,475001 |
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| 摘 要： | 采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了CsHs气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C3Hs气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长在开始阶段受表面反应控制,而后受质量输运控制.所得到的结晶质量最好的6H-SiC薄膜,其摇摆曲线半高宽为0.6°,已经达到单晶水平.没有使用A1N过渡层,制备出结晶质量更好的SiC薄膜,表明对于蓝宝石衬底上SiC薄膜的生长,起决定性因素的是温度,过渡层不是影响SiC薄膜结晶质量的主要因素.
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| 关 键 词： | 无机非金属材料 6H-SiC薄膜 低压CVD 蓝宝石 微结构 |
| 文章编号： | 1005-3093(2008)01-0037-05 |
| 修稿时间： | 2007年4月19日 |
Heteroepitaxial growth and characterization of 6H-SiC films on C-plane sapphire substrates using LP CVD |
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| ZHENG Haiwu,SU Jianfeng,GU Yuzong,ZHANG Yang,FU Zhuxi.Heteroepitaxial growth and characterization of 6H-SiC films on C-plane sapphire substrates using LP CVD[J].Chinese Journal of Materials Research,2008,22(1):37-41. |
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| Authors: | ZHENG Haiwu SU Jianfeng GU Yuzong ZHANG Yang FU Zhuxi |
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