静态随机存储器单粒子翻转效应的二维数值模拟

采用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转(SEU)现象进行了计算。对MOSFET漏区模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性。通过输入不同粒子的线性能量传输LET值,得到了某一结构器件的收集电荷与LET值的关系曲线,并给出临界电荷7 73×10-14C。     

用连续稀释的膨胀计测量过量体积

设计了一个改良的没有活塞的膨胀计,操作方便快速。用其测量298.15K苯+环己烷系的过量体积,与文献数据符合良好。26个实验点对光滑化方程的平均偏差为0.0035厘米~2/摩尔,光滑化数据与可靠的文献数据相比,大多数符合在0.001厘米~3/摩尔以内。     

组合布局对建筑立面风驱雨分布影响特性的数值分析

风驱雨（Wind-Driven Rain,简称WDR）是建筑外立面最主要的水分来源,为外墙材料耐久性能及建筑温湿环境的重要影响因素。目前,WDR分布特性的研究主要针对单体建筑布局,考虑群体布局条件下建筑立面WDR分布以及受布局扰动影响的研究仍比较缺乏。基于欧拉多相流模型的WDR数值模拟方法,在验证方法对两建筑串列布局下较复杂WDR场具有较好模拟适用性的前提下,针对两建筑串列布局方式,考虑施扰建筑高度(h)及间距(d)变化,模拟不同工况下受扰建筑迎风面WDR分布,通过与单体布局情况进行比较,重点分析受扰建筑迎面风WDR分布特点及局部区域WDR变化规律,获取该布局变化时气动干扰对受扰建筑迎风面WDR分布的影响特性。结果表明：受扰建筑迎风面WDR分布受施扰建筑高度变化影响较大,受间距变化的影响相对较小,而局部区域干扰因子更能有效反映受扰建筑立面WDR分布的气动干扰影响。     

集成电路的二次封装屏蔽硬X射线研究

在集成电路X射线剂量增强效应研究的基础上,提出对典型器件开展硬X射线二次封装屏蔽加固技术研究。首先用Monte Carlo方法进行了模拟计算。结果表明,针对硬X射线选用高Z材料作二次封装材料可以达到较好的屏蔽效果。根据计算的结果,在北京同步辐射装置上,利用已经建立的存储器测试系统,对采用不同厚度封装材料的二次封装集成电路SRAM 62256作了屏蔽效应实验,证实了采用二次封装屏蔽加固技术方法后,电路抗X射线的总剂量失效阈值提高了一个量级。建立的屏蔽加固方法对提高器件抗辐射能力具有重要意义。     

矢量渐近边界条件在三维开域涡流场计算中的应用

根据低频涡流场的特点，本文导出了能直接应用于直角坐标系的矢量渐近边界条件，它有利于有限元模拟具有较大纵横比的导体在外场激励下的涡流问题。在算例中，本文将Ｅ表述（Ｅ－ｆｏｒｍｕ－ｌａｔｉｏｎ）的棱边有限元法计算的结果与其他方法得出的结果进行了比较。     

SGEMP表面电场电缆试验系统

本文在讨论ＳＧＥＭＰ表面电场对电缆屏蔽层的耦合以及屏蔽层上的电流通过转移导纳对芯线的耦合机制的基础上,介绍一种产生模拟ＳＧＥＭＰ表面电场信号的电容性耦合的实验装置,并给出一种常用电缆的初步实验结果。该系统可为弹,星上所用电缆提供耦合效应实验手段。     

不同粒子在硅中能量沉积的计算及比较

在粒子与物理相互作用的理论基础上,编写了计算中子非电离能量损失（NIEL）和电离能量损失（IEL）以及电子和γNIEL的Monte Carlo计算程序,利用编写的程序以及TRIM95和SANDYL程序计算了1MeV中子、20MeV以下电子和γ在硅中IEL和NIEL的大小和分布。对计算结果进行了分析和比较。     

基于细线散射的时域有限差分法

研究一种基于细线散射的时域有限差分法。利用该法可求解细线结构的电磁辐射及散射等问题。与传统时域有限差分法相比,该法处理细线结构更简单、有效。还利用该法研究了线天线电磁辐射、散射问题,并将结果与时域积分方程的结果进行了比对,取得了较好效果。     

快上升前沿电磁脉冲的孔缝耦合效应数值研究

本文利用时域有限差分(FD—TD)法研究快上升前沿电磁脉冲(FREMP)目标腔体的孔缝耦合效应。并将计算结果与核电磁脉冲(NEMP)的耦合结果进行比对。研究表明：对于较小尺寸的目标腔体,在孔缝尺寸也较小的情况下,FREMP相对于NEMP更容易耦合进入目标腔体,且更容易引起孔腔谐振。