| 静态随机存储器单粒子翻转效应的二维数值模拟 |
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| 引用本文： | 郭红霞,陈雨生,周辉,贺朝会,李永宏.静态随机存储器单粒子翻转效应的二维数值模拟[J].原子能科学技术,2003,37(6):508-512. |
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| 作者姓名： | 郭红霞 陈雨生 周辉 贺朝会 李永宏 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所,陕西,西安,710024 |
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| 摘 要： | 采用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转(SEU)现象进行了计算。对MOSFET漏区模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性。通过输入不同粒子的线性能量传输LET值,得到了某一结构器件的收集电荷与LET值的关系曲线,并给出临界电荷7 73×10-14C。
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| 关 键 词： | 静态随机存储器 单粒子翻转 SEU SRAM 电荷漏斗模型 加速器 |
| 文章编号： | 1000-6931(2003)06-0508-05 |
| 修稿时间： | 2002年9月12日 |
Two-dimensional Numerical Simulation of the Effect of Single Event Upset for SRAM |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | single event upset linear energy transfer model of charge funneling |
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