IGBT芯片参数对瞬态均流特性的影响

IGBT模块一般采用多芯片并联的方式进行封装,但由于模块参数、驱动控制等差异,模块内部存在电流分布不均衡的问题。相比于稳态电流分布,瞬态电流分布的影响因素众多,是研究的热点。针对IGBT的芯片参数开展了模块内部各支路瞬态电流分布特性的研究。通过建立IGBT芯片模型及芯片并联的瞬态电路分析模型,计算单一芯片参数与多种芯片参数作用下IGBT模块的瞬态电流分布,提出新的适用于芯片支路瞬态均流分析的评价指标,得到了IGBT芯片参数对并联瞬态均流影响的规律。研究结果表明阈值电压、跨导和栅极电阻是对瞬态均流影响最大的3个芯片参数,且需要关注阈值电压与跨导的共同影响。研究结果对IGBT的芯片筛选及并联后的瞬态均流计算具有指导意义。     

考虑多重影响因素下的10 kV分线同期线损分析方法

<正>10 kV分线同期线损率已经成为衡量供电企业管理水平与经营能力的重要指标之一。从10 kV线损异常原因的对比研究出发，提出了一种规范的10 kV分线同期线损分析方法，通过分层递进的分析思路，快速准确地定位线损异常的具体原因，并及时消缺。该方法可广泛运用于10 kV分线数据治理与降损工作，使线损分析工作提质增效。