二氧化硅湿法腐蚀速率的研究

二氧化硅在功率半导体芯片制造过程中,尤其是在4～6英寸功率半导体晶圆芯片制程中有着不可取代的作用,故研究以氢氟酸为主要成分的腐蚀剂对二氧化硅的腐蚀速率有着非常大的意义.本文主要通过研究二氧化硅腐蚀液中氢氟酸含量的不同以及腐蚀液温度的差异对二氧化硅腐蚀速率的影响,并将研究的成果应用于4～6英寸功率半导体晶圆芯片生产过程控...     

激光划切硅工艺的探讨

划切主要分为砂轮和激光划切两种,而激光划切因其相干性好、方向性强、单色性好、划切效率高的特点,被广泛应用于半导体器件的划切工艺过程中。激光划切主要有红外划切及紫外划切两种工艺,又因为紫外光波长较短,频率较高的特点,使得划切时连续性更好,划切宽度更窄。通过大量的紫光划切工艺实验,建立了紫光划切工艺的最优频率、功率、划切速度等基本工艺,并把此工艺应用于实际生产过程中,取得了较为理想的效果。     

离子注入能量对深结扩散表面浓度的影响

采用离子注入对半导体器件的进行掺杂,能实现精确掺杂,在半导体器件制程过程中起着举足轻重的作用。文章主要探讨相同注入剂量,不同离子注入硼与磷的能量,对于深结扩散后表面浓度的影响,从而得到较理想的工艺注入能量,以便提升注入机设备效率及产品深结扩散后的浓度稳定性,并在深结扩散器件中得到有效的利用,取得较理想的效果。