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1.
提出一种设计和优化电感版图结构的方法.采用低电阻系数硅衬底和0.18μm Cu/SiO2互连工艺技术,设计出一组工作在5.7GHz的电感,同时优化了版图结构,例如内部磁芯大小、线圈宽度、线圈间距(0.2～11nH)等.与使用原有设计方法测出的电感的Q值相比,经过优化的5.7GHz电感的Q值可改进到5～8.
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2.
在有损耗的硅衬底上试制了传输线(微带以及共面波导),并嵌入在CMOS Cu/SiO2互连层中.对传输线的几何尺寸与其特征阻抗、损耗以及衰减因子进行了研究.结果表明嵌入在硅氧化层中的微带和共面波导可以在有损耗的硅片上低损耗地实现,为在硅片上设计微波和毫米波电路提供了必要的无源器件.
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3.
在有损耗的硅衬底上试制了传输线(微带以及共面波导),并嵌入在CMOS Cu/SiO2互连层中.对传输线的几何尺寸与其特征阻抗、损耗以及衰减因子进行了研究.结果表明嵌入在硅氧化层中的微带和共面波导可以在有损耗的硅片上低损耗地实现,为在硅片上设计微波和毫米波电路提供了必要的无源器件.
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4.
提出一种设计和优化电感版图结构的方法.采用低电阻系数硅衬底和0.18μm Cu/SiO2互连工艺技术,设计出一组工作在5.7GHz的电感,同时优化了版图结构,例如内部磁芯大小、线圈宽度、线圈间距(0.2～11nH)等.与使用原有设计方法测出的电感的Q值相比,经过优化的5.7GHz电感的Q值可改进到5～8.
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