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一、前言作为接收型换能器、传感器、医用超声换能器用材料,一般都要求大的机电耦合系数和低的机械品质因素。在压电陶瓷中,虽然锆钛酸铅系陶瓷的 K_p 比钛酸钡、铌酸盐等陶瓷大,有的甚至可达0.70,例如:Pb_(0.85)Sr_(0.03)Ba_(0.12)(Zr_(0.535)Ti_(0.465))O_3+0.3重量%Bi_2 O_3+0.7重量%Nb_2 O_5,其 Kp=0.7,ε_(33)~T/ε_0=2300。但是,在二元系统的 PbZrO_3—PbTiO_3 固溶 相似文献
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本文选用共沉淀法和水热法制备的BaTiO3粉体,在1200 ̄1320℃/1小时的条件下吉BaTiO3陶瓷。测定了BaTiO3陶瓷的密度、ε ̄T特性等,并用SEM或TEM电镜观察BaTiO3粉体的特征和讨论了两种BaTiO3陶瓷的介电特性。 相似文献
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对沉淀混合法合成单相Ba2Ti9O20粉体做了初步的探索,并在较短时间内煅烧得到单相Ba2Ti9O20。采用BaCO3和钛酸丁酯为原料,在pH≈9的条件下获得草酸钡和氢氧化钛沉淀,然后将二者混合,洗涤、过滤、烘干后,经不同温度煅烧,得到最后的粉体。在前驱体的制备过程中,不需要高、低温或保护性气体等特殊要求。研究结果显示:经1200℃下煅烧2h,可得到单相的Ba2Ti9O20粉体。进一步的研究表明:以球磨混合的方式在前驱体中添加适量的Ba2Ti9O20晶种能有效降低Ba2Ti9O20相的形成温度,在1150℃下煅烧2~4h可得到单相的Ba2Ti9O20粉体。 相似文献
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低温烧结微波介质陶瓷 总被引:31,自引:6,他引:25
在制备多层微波元件过程中,为使用Cu、Ni等低熔点导体,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。本文介绍了通过液相烧结降低致密化温度的BaTi4O9、Ba2Ti9O20及(Zr,Sn)TiO4陶瓷,这类材料的烧结温度已降至1 000℃以下;也介绍了掺加(V2O3+CuO)的BiNbO4基陶瓷,其致密化温度已低至880℃左右。文中还列出了陶瓷组成、低熔点氧化物或玻璃的组成及相关材料的微波介电性能。 相似文献