合成温度对PTCPb.36Ba.64Ti1.01O3陶瓷的影响

本工作采用传统陶瓷工艺，在７５０－１１５０℃温度范围内，分别合成了不同合成温度的Ｎｂ掺杂Ｐｂ３６Ｂａ．６４Ｔｉ１．０１Ｏ３基料，测量了基料的Ｘ－射线及合成后的收缩。     

固相法合成单相Ba2Ti9O20粉体

本文以BaTiO3和TiO2为原材料，采用传统制备工艺，混合后粉料于不同合成温度（800～1150℃）和保温时间（1／60～64h）进行固相合成反应·基于XRD相分析结果，得出合成温度为1000～1150℃、保温时间为4～32h时，反应产物均为单相Ba2Ti9O20粉体．并得出：组成元素Ba和Ti分布均匀性是影响Ba2Ti9O20生成的一个重要工艺因素．     

低温快速烧结软磁铁氧体材料

研究了Bi₂O₃-V₂O₅系复合添加剂对Ni-Cu-Zn铁氧体的烧结及其磁性能的影响.研究表明,Bi₂O₃-V₂O₅系复合添加剂具有促进晶粒生长的作用,随着添加量的增加,样品断面形貌显示大晶粒增多,X射线衍射分析表明,过多的添加剂引起少量的杂相析出,晶界变宽。然而,适当量的Bi₂O₃-V₂O₅系复合添加剂能使普通Ni-Cu-Zn铁氧体的烧结温度降至875℃以下,烧结时间缩短为30min,烧结样品的磁导率可达195(10MHz)。     

粒级组配工艺制备高磁导率Ni-Cu-Zn铁氧体

介绍了一种采用物理方法降低Ni-Cu-Zn铁氧体材料烧结温度的工艺一粒级组配工艺。通过纳米粉体与微米粉体的合理匹配,使材料的致密化过程加速,有效地降低了材料的烧结温度,并使材料的初始磁导率保持较高值。当纳米粉体含量为10％时,Ni_0.13Cu_0.26Zn_0.64Fe_1.98O₄铁氧体的烧结温度为900℃,初始磁导率达764。     

合成工艺对BiNbO4微波介质陶瓷的影响

本文研究了BiNbO4粉料合成温度及烧结助剂CuO-V2O5添加程序对BiNbO4陶瓷烧结特性及微波介电性能的影响．结果表明：合成温度为850℃／2h及合成后加入烧结助剂CuO-V2O5的BiNbO4陶瓷有高的密度值、较为均匀的晶粒尺寸及良好的介电性能：在100MHz，εr＝49～52，在3GHz，εr＝44，Q＝2000～2300，τr＝38ppm（-40～25℃）；τr＝±6ppm（25～85℃）．     

BaTiO3 PTCR陶瓷阻温系数的研究

本文以Ｈｅｙｗａｎｇ模型为基础，分析了影响ＢａＴｉＯ３ＰＴＣＲ陶瓷阻温系数α的主要因素，并给出了解析关系，各参数的测量结果与该关系基本相符。     

纳米LaAlO3粉体的制备与烧结

对共沉淀法制备纳米LaAlO3粉体及烧结进行了初步研究．采用La(NO3)3与Al(NO3)3为原料，控制pH=9左右，在室温下完成共沉淀，前驱体经800℃／2h的条件下煅烧后可获得纳米LaAlO3粉体，粉体颗粒约50nm．无压烧结的结果表明，这种纳米LaAl03粉体的烧结性能较好，通过选择适当的条件，在1500℃下烧结可获得密度达6．2g／cm^3的LaAlO3材料．     

低温烧结(Zr0.8Sn0.2)TiO4陶瓷的晶相组成与微波介电性能

讨论了低温烧结(Zr0.8Sn0.2)TiO4微波介质陶瓷的晶相组成与制备工艺、掺杂离子的关系,结果表明粉体的合成温度对烧结体的晶相构成有很大的影响,进而影响材料的谐振频率温度系数τf,稍高的合成温度有利于提高α-PbO型ZST相的稳定性,使谐振频率温度系数τf由107 ppm/℃降至20.88 ppm/℃.采用Nb5+离子掺杂能更有效地抑制烧结过程中游离氧化物相的析出,当Nb5+达到0.15mol%时,920℃烧结样品的介电常数为25,谐振频率温度系数τf为-2.44 ppm/℃,品质因数Q·f达4868GHz(5GHz).     

论大型商业建筑中供暖空调通风设计

随着社会的发展和人们生活水平的逐步提高,社会对于房屋舒适度的要求也越来越高,这就提醒我们要将通风空调系统的设计等因素放在建筑设计的首位,从而提高房屋的硬件质量,最大化的满足人们的生活需求。供暖空调能为大型的商业建筑提供一个舒适的内部环境,但与此同时供暖空调的通风设计也成为一大难题,急需解决。本文结合笔者研究实践,简要的分析了在大型商业建筑中的供暖空调的通风设计,对相关从业人员具有一定的参考价值。