p型微晶硅薄膜的沉积及其在微晶硅薄膜太阳电池中的应用

采用等离子体化学气相沉积（PECVD）方法制备了硼掺杂微晶硅薄膜和微晶硅薄膜太阳电池.研究了乙硼烷含量、p型膜厚度及沉积温度对硼掺杂薄膜生长特性和高沉积速率的电池性能的影响.通过对p型微晶硅薄膜沉积参数的优化,在本征层沉积速率为0.78nm/s的高沉积速率下,制备了效率为5.5%的单结微晶硅薄膜太阳电池.另外,对p型微晶硅薄膜的载流子疏输运机理进行了讨论.     

p型微晶硅薄膜的沉积及其在微晶硅薄膜太阳电池中的应用

采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法制备了硼掺杂微晶硅薄膜和微晶硅薄膜太阳电池.研究了乙硼烷含量、p型膜厚度及沉积温度对硼掺杂薄膜生长特性和高沉积速率的电池性能的影响.通过对p型微晶硅薄膜沉积参数的优化,在本征层沉积速率为0.78nm/s的高沉积速率下,制备了效率为5.5%的单结微晶硅薄膜太阳电池.另外,对P型微晶硅薄膜的载流子疏输运机理进行了讨论.     

掺硼a-Si:H薄膜脉冲快速光热退火(PRPTA)的研究

采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法制备掺硼非晶硅（a-Si：H）薄膜,然后用脉冲快速光热退火（PRPTA）法对其进行固相晶化。研究结果表明：掺硼a-Si：H薄膜在550℃恒温条件下退火3h后,其结晶状况无明显变化;而通过加高温热脉冲可以在玻璃衬底上获得晶化较好的P型多晶硅薄膜。另外,非晶硅薄膜的掺硼浓度及脉冲条件对脉冲快速光热退火的效果有一定影响。     

炭黑添加量对传感器用CuCr合金表面聚酰胺涂层性能的影响

为了提高传感器用CuCr合金表面微孤氧化层的耐蚀性能,设置环氧树脂与丙酮比例为5∶3(质量比,下同),通过控制不同炭黑添加量在微弧氧化层表面制得聚酰胺涂层.采用试验测试的方式分析了各组分对涂层耐蚀能力与导电性的影响.研究结果表明:炭黑颗粒含量为10％时,相邻炭黑颗粒在涂层中形成了更紧密的排列状态,对空隙形成了更紧密的填充效果.当炭黑颗粒加入量提高后,形成了更明显的表面缺陷,涂层中无论发黑颗粒大小还是数量都明显提高.随着炭黑添加量增大,涂层耐蚀性表现出先增加后降低的变化,而炭黑添加量为10％对改善涂层的耐蚀能力是较优的.采用聚酰胺涂层可以实现对微孔密封的效果,使反应活性点数量减少,有效提升涂层耐蚀能力.炭黑颗粒含量为10％时,涂层方阻减小,同时获得了最小的电阻值,达到了较优的导电性能.提高炭黑颗粒含量后,可以连接成导电网络,从而获得最小的涂层电阻.     

金属Be体膨胀系数及自扩散系数的分子动力学模拟

金属铍(Be)是一种在武器系统、航天、原子能等工业领域中有着很广泛应用的战略性材料。本文采用分子动力学的方法模拟了金属Be的平衡体积,计算了金属Be的体膨胀系数及自扩散系数随温度的变化,由此分析金属了Be的结构及其稳定性。这对以后进行金属Be结构及其他热力学性质的研究有一定的意义。     

高电导率高晶化率p型微晶硅薄膜的制备

利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜.为获得高电导率高晶化率的薄膜,采用正交实验法对衬底温度、氢稀释比及硼烷掺杂比等主要沉积参数进行初步优化.Raman光谱和电导率测试结果表明:(1)在实验选取的参数范围内,衬底温度是影响薄膜暗电导率和晶化率的最主要因素,其次是氢稀释比,硼烷掺杂比的影响相对较小;(2)通过正交优化,获得了暗电导率为2.05S·cm-1、晶化率为86%的p型微晶硅薄膜.