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p型微晶硅薄膜的沉积及其在微晶硅薄膜太阳电池中的应用
引用本文:陈永生,杨仕娥,汪建华,卢景霄,郜小勇,谷锦华,郑文,赵尚丽.p型微晶硅薄膜的沉积及其在微晶硅薄膜太阳电池中的应用[J].半导体学报,2008,29(11):2130-2135.
作者姓名:陈永生  杨仕娥  汪建华  卢景霄  郜小勇  谷锦华  郑文  赵尚丽
作者单位:郑州大学物理工程学院 材料物理重点实验室,郑州 450052;中国科学院等离子体物理研究所,合肥 230031;郑州大学物理工程学院 材料物理重点实验室,郑州 450052;武汉工程大学材料科学与工程学院,武汉 430073;郑州大学物理工程学院 材料物理重点实验室,郑州 450052;郑州大学物理工程学院 材料物理重点实验室,郑州 450052;郑州大学物理工程学院 材料物理重点实验室,郑州 450052;郑州大学物理工程学院 材料物理重点实验室,郑州 450052;郑州大学物理工程学院 材料物理重点实验室,郑州 450052
基金项目:国家重点基础研究发展计划
摘    要:采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法制备了硼掺杂微晶硅薄膜和微晶硅薄膜太阳电池.研究了乙硼烷含量、p型膜厚度及沉积温度对硼掺杂薄膜生长特性和高沉积速率的电池性能的影响.通过对p型微晶硅薄膜沉积参数的优化,在本征层沉积速率为0.78nm/s的高沉积速率下,制备了效率为5.5%的单结微晶硅薄膜太阳电池.另外,对p型微晶硅薄膜的载流子疏输运机理进行了讨论.

关 键 词:B掺杂微晶硅薄膜  喇曼晶化率  暗电导  太阳电池
收稿时间:1/4/2008 9:22:46 AM
修稿时间:7/19/2008 9:47:44 AM

Deposition of p-Type Microcrystalline Silicon Film and Its Application in Microcrystalline Silicon Solar Cells
Chen Yongsheng,Yang Shi''e,Wang Jianhu,Lu Jingxiao,Gao Xiaoyong,Gu Jinhu,Zheng Wen and Zhao Shangli.Deposition of p-Type Microcrystalline Silicon Film and Its Application in Microcrystalline Silicon Solar Cells[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(11):2130-2135.
Authors:Chen Yongsheng  Yang Shi'e  Wang Jianhu  Lu Jingxiao  Gao Xiaoyong  Gu Jinhu  Zheng Wen and Zhao Shangli
Affiliation:Key Laboratory of Material Physics,Department of Physics,Zhengzhou University, Zhengzhou 450052,China;Institute of Plasma Physics,Chinese Academy of Sciences,Hefei 230031,China;Key Laboratory of Material Physics,Department of Physics,Zhengzhou University, Zhengzhou 450052,China;Depart of Materials Science and Engineering,Wuhan Institute of Technology,Wuhan 430073,China;Key Laboratory of Material Physics,Department of Physics,Zhengzhou University, Zhengzhou 450052,China;Key Laboratory of Material Physics,Department of Physics,Zhengzhou University, Zhengzhou 450052,China;Key Laboratory of Material Physics,Department of Physics,Zhengzhou University, Zhengzhou 450052,China;Key Laboratory of Material Physics,Department of Physics,Zhengzhou University, Zhengzhou 450052,China;Key Laboratory of Material Physics,Department of Physics,Zhengzhou University, Zhengzhou 450052,China
Abstract:
Keywords:
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