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利用冶金传感器与计算机技术相结合,实现在线定量、直观地检测有色金属熔体中的氧含量、气体和温度。本文重点阐述了该技术的研究、开发及应用现状。 相似文献
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Based on the physical vapor transport (PVT) method, the growth of large-size CdS crystals inside a vertical semi-closed tube is studied. Firstly, in order to ensure 1D diffusion-advection transport, multi-thin tubes are used in the growth tube. The XRD spectra of the CdS crystal grown in this configuration indicates that the crystal quality has clearly been improved, where the FWHM is 58.5 arcsec. Secondly, theoretical and experimental growth rates under different total pressures are compared; the results show that the experiential growth rate equation is valid for our semi-tube growth, and it could be used to estimate the growth rate and maximum growth time under different total pressures. 相似文献
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Testpoint是一种事件驱动开发平台。在Teslpoint下,测试所要求的时序性和循环性能够得到很好的保证。结合GPIB通用接口技术和串行接El技术,用装有接口忙的汁算机担任系统的控者,在Testpoint平台下解决了具有广泛意义的并121和串口仪器的程控问题。探讨了Testpoint平台下自动测试系统的实现方法和应用程序的开发方法,设计了半导体特性综合测试系统并完成了对样品的I-V、L-V特性的综合测试。通过Testpoint,完成了测量数据的存储、处理、显示、输出和打印等操作。在实际应用中,达到了改善测试质最和测试速度的目的。 相似文献
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采用氢化物气相外延(HVPE)方法在2英寸(1英寸=2.54 cm)c面蓝宝石衬底上外延生长了高质量GaN单晶薄膜.在GaN生长过程中引入点状和条状两种金属Ti掩膜图形层,研究了不同Ti掩膜图形层对外延生长GaN薄膜晶体质量的影响.使用微分干涉相差显微镜(DICM)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光光谱(CL)、喇曼光谱和X射线衍射(XRD)对制备的GaN样品结构和形貌进行了表征分析.实验结果表明,Ti掩膜图形层的引入可以在一定程度上改善GaN薄膜的表面形貌,缓解材料中的应力,降低GaN材料中的位错密度,提高材料的结晶质量.同时发现,相比于点状图形,条状Ti图形掩膜层可以更加有效地改善GaN材料的晶体质量,将位错密度降低到3.2×106 cm-2以下. 相似文献
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GaN氢化物气相外延(HVPE)生长过程中,衬底表面的温度分布对其生长质量有着重要影响。我们采用计算机模拟,研究了GaN生长过程中所使用的不同结构石墨基座上的温度分布。根据所得不同结构下基座上的温度分布,选择衬底上温度分布最均匀的结构与普通实验使用的基座结构进行实验对比。结果发现,在实际的大流量载气的GaN生长中,采用优化的圆弧凹面结构石墨基座实验组的GaN晶体外延层的生长速率、生长质量和均匀性等比普通方法生长的更好。本文得到的不同HVPE生长环境下的基座结构优化设计方案,为HVPE炉体的设计和氮化物生长具有很好的指导意义。 相似文献
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