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1.
模具是CAM软件最适于发挥能力的应用之一。模具镶块的加工由普通锯车铣钻磨焊,EDM加工,线切割加工,数控三轴、四轴、五轴加工,钳工及抛光工等组成。CNC机床所占比例呈连续上升趋势。三轴加工由于设备价格低、易于使用、编程容易,在其中占绝大多数。以下是Pro/E5.0的NC三轴在镶块加工中应用的体会。  相似文献   
2.
三端自由高压LDMOS器件设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
肖文锐  王纪民 《微电子学》2004,34(2):189-191
应用RESURF原理,设计了三端自由的高压LDMOS器件。采用虚拟制造技术,分析比较了多种结构,对器件结构进行了优化。设计了与常规CMOS兼容的高压器件结构的制造方法和工艺。采用虚拟制造,得到NMOS和PMOS虚拟器件,击穿电压分别为350V和320V。  相似文献   
3.
吴代远  王纪民 《微电子学》2002,32(5):348-350
在晶体管GP模型基础上,采用Silvoca公司的UTMOST模型参数提取程序,得到一种双极型晶体管模型参数的提取方法.用此方法对PCM测试芯片的寄生三极管进行参数提取和模拟,模拟结果与测试结果符合得较好.  相似文献   
4.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
曾莹  王纪民 《微电子学》1997,27(1):37-42
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。  相似文献   
5.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
王纪民  蒋志 《微电子学》1997,27(2):121-124
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。  相似文献   
6.
王纪民 《现代家电》2009,(15):56-57
水屋——悄然兴起的饮水新方式。自从饮水机普及开来,很多家庭已经由传统的自烧开水饮用过渡到使用饮水机和桶装水。但是.如果我们细心留意则不难发现,在一二级城市的很多社区、学校等人群密集区.悄然出现了一种新兴的卖水零售店,它们面积不大,大约十几平米,甚至还有与其他零售项目,例如与社区超市共用一间门面,但内部独立运作经营的形式。它们的名称不尽相同,或“水生活体验馆”、或“水屋”、或“健康水世界”。  相似文献   
7.
本文提出一种按射线理论进行深度偏移的具体方案,并用它对若干理论模型与实际资料作了试验。试验表明,射线深度偏移对于恢复真实地层产状是有效果的。  相似文献   
8.
通过举例说明4M(即方法、人为、材料和设备)波动差错,阐述了电镀企业建立质量保证体系的必要性.简要介绍了减少波动性差错以及查找故障原因的方法.  相似文献   
9.
为了讨论问题方便,定义了两种P-N结:“漏P-N结”和“单纯P-N结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别,认为“漏P-N结”的击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。EEPROM的研制中,要求“漏P-N结”击穿电压≥20V,即沟道区杂质浓度要低到一定的程度,而同时又必须保证一定的开启电压,即沟道区杂质浓度要高到一定的程度。通过分析与实验,提出了解决这一矛盾的通用原则。  相似文献   
10.
设计了一个新型的薄栅氧、低功耗、自恢复的电平移位栅电压控制电路.在20V工作电压下,n沟道和p沟道LDMOS高压器件的栅源电压Vgs分别保持在±5V.当一个选址周期结束后,电路能自动复位而不需增加任何复位器件和电路.该电路为高低压兼容,采用标准0.5μmCMOS-LDMOS兼容工艺制造,可用于OLED显示的驱动控制.  相似文献   
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