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学科分类

工业技术

2篇

出版年

2004年

2篇

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一种新型磁场MWECR-CVD和氢化非晶硅薄膜制备 总被引：3，自引：1，他引：2

殷生毅陈光华吴越颖王青刘毅张文理宋雪梅邓金祥《半导体学报》2004,25(5):530-534

为了简化多电磁线圈 MWECR- CVD装置 ,提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合 ,以形成所需的新型磁场 .这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方 ,显著提高了等离子体的能量密度 .应用这种新型磁场的 MWE-CR- CVD装置沉积氢化非晶硅薄膜 ,与采用单电磁线圈或双电磁线圈时相比 ,薄膜沉积速度大幅度提高 ,沉积速度达到采用传统 RF- PECVD装置时的数倍至十倍相似文献

一种新型磁场MWECR-CVD和氢化非晶硅薄膜制备

殷生毅陈光华吴越颖王青刘毅张文理宋雪梅邓金祥《半导体学报》2004,25(5)

为了简化多电磁线圈MWECR-CVD装置,提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合,以形成所需的新型磁场.这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方,显著提高了等离子体的能量密度.应用这种新型磁场的MWECR-CVD装置沉积氢化非晶硅薄膜,与采用单电磁线圈或双电磁线圈时相比,薄膜沉积速度大幅度提高,沉积速度达到采用传统RF-PECVD装置时的数倍至十倍. 相似文献