| 一种新型磁场MWECR-CVD和氢化非晶硅薄膜制备 |
| |
| 引用本文： | 殷生毅,陈光华,吴越颖,王青,刘毅,张文理,宋雪梅,邓金祥.一种新型磁场MWECR-CVD和氢化非晶硅薄膜制备[J].半导体学报,2004,25(5). |
| |
| 作者姓名： | 殷生毅 陈光华 吴越颖 王青 刘毅 张文理 宋雪梅 邓金祥 |
| |
| 作者单位： | 北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| |
| 摘 要： | 为了简化多电磁线圈MWECR-CVD装置,提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合,以形成所需的新型磁场.这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方,显著提高了等离子体的能量密度.应用这种新型磁场的MWECR-CVD装置沉积氢化非晶硅薄膜,与采用单电磁线圈或双电磁线圈时相比,薄膜沉积速度大幅度提高,沉积速度达到采用传统RF-PECVD装置时的数倍至十倍.
|
| 关 键 词： | ECR-CVD 永磁体 磁场 氢化非晶硅 |
MWECR-CVD System with a New Magnetic Field and Deposition of a-Si∶H Films |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
