一种轻量化高效率P频段数字阵列模块设计

为了满足未来大型相控阵天基雷达对低剖面、轻量化有源天线阵面的需求,设计了一种P频段14通道数字阵列模块(Digital Array Module,DAM).通过精简的系统架构设计、高密度集成的电路设计和紧凑的结构设计一系列技术方法,克服了DAM小型化和轻量化的设计难点,同时又获得了高效率和其他优良的电性能.最终研制得到样机,质量低至2.23 kg,效率达到45％(10％工作比),在天基雷达领域具有很好的应用前景.     

Simulation of electrical properties of InxAl1-xN/AlN/GaN high electron mobility transistor structure

Electrical properties of In_x Al_1-xN/AlN/GaN structure are investigated by solving coupled Schr（o|¨）dinger and Poisson equations self-consistently.The variations in internal polarizations in In_xAl_1-xN with indium contents are studied and the total polarization is zero when the indium content is 0.41.Our calculations show that the twodimensional electron gas（2DEG） sheet density will decrease with increasing indium content.There is a critical thickness for AIN.The 2DEG sheet density will increase with In_xAl_1-xN thickness when the AIN thickness is less than the critical value.However,once the AIN thickness becomes greater than the critical value,the 2DEG sheet density will decrease with increasing barrier thickness.The critical value of AIN is 2.8 nm for the lattice-matched In_0.18Al_0.82N/AlN/GaN structure.Our calculations also show that the critical value decreases with increasing indium content.     

基于数字收发的大功率行发射机设计

介绍了一种VHF波段全固态大功率行发射机的设计,对发射机的系统组成、数字收发模块、前级功放组件、末级功放组件等关键技术展开了详细的阐述。为了提高天线的合成效率和波束指向精度,设计中采用了基于数字收发的幅相校正技术,保证了发射机每行输出幅度和相位的高度一致性。     

InxAl1-xN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管的电学特性

通过自洽求解薛定谔和泊松方程研究了In_xAl_1-xN/AlN/GaN结构的电学特性。通过研究In_xAl_1-xN内部极化效应随铟组分的变化发现,当铟组分为0.41时,总的极化效应为零。通过计算发现,二维电子气密度随着铟组分的增加而减小。对于AlN的厚度存在一个临界值：当AlN的厚度小于临界值时,二维电子气密度随着In_xAl_1-xN厚度的增加而增加;然而,当AlN的厚度大于临界值时,二维电子气密度随着In_xAl_1-xN厚度的增加而减少。对于晶格匹配的In_0.18Al_0.82N/AlN/GaN结构,AlN的厚度临界值为2.8nm。通过计算还发现,AlN厚度临界值随着铟组分的增加而减少。