基于内置光栅的大功率激光二极管

研制了一种用作光纤激光器泵浦光源内置光栅的976 nm激光二极管,分析了外延结构和芯片平面结构设计,并着重对内置光栅进行了理论分析和设计,通过技术研究和工艺优化,研制出了满足系统工程应用的激光二极管,其主要光电性能参数如下:中心波长为976±1 nm;光谱半宽小于等于1 nm;中心波长温度漂移系数小于等于0.1nm/℃;输出功率大于等于10W;发光条宽度小于等于100 μm.     

高形状因子可编程微波光子滤波器集成芯片

为了适应新型通信技术发展,该文提出了一种高形状因子、可编程的微波光子滤波器集成芯片。该滤波器芯片采用绝缘体上硅材料(SOI),利用有限冲击响应原理,通过调节各支路上的热光调制器,可以实现带宽可调、形状因子大于0.55的滤波曲线,以及中心频率可调、带宽可调和滤波形状可变3种不同滤波功能。该滤波器尺寸小、重量轻、灵活性高,能适用于大带宽信号处理,并能提供一种理想的信道划分方式,可广泛应用于国防领域和5G网络中。     

808nm准连续半导体激光器及其阵列的研究

介绍了808nm准连续半导体激光器及其阵列的腔面镀膜技术,影响激光器波长的因素,封装技术以及输出光的光纤耦合方式。给出了808nm准连续半导体激光器及其阵列现状和发展趋势。     

稠油热采高效低能耗集输技术探讨

稠油凝点高、黏度与密度大,热采地面集输难度大。中国稠油热采集输能耗高、热能综合利用率低、效率低,总体工艺技术水平较低。针对含水高、产量较低的稠油区块,提出采用注采合一污水回掺集输,电动选井多通阀集油计量,过热蒸汽吞吐,蒸汽锅炉高温烟气及热油余热利用等稠油集输新工艺、新技术和密闭电动选井多通阀配汽管汇、计量接转站及注汽系统相结合的二级布站、一体化建站的高效低耗集输系统,实现稠油地面集输高效、低耗,提高中国稠油集输工艺技术水平。     

一种泵浦Nd∶YAG用环形阵列半导体激光器

研制了一种泵浦Nd∶YAG棒的环形阵列准连续半导体激光器,分析了影响器件光电参数的几个主要因素,对实验结果进行了讨论.该器件采用单量子阱光电分别限制异质结结构,激光器的峰值波长为808±3 nm, 工作电流100 A时,输出功率大于1 200 W(占空比为1%),光谱半宽小于4 nm.     

一种泵浦Nd：YAG用环形阵列半导体激光器

研制了一种泵浦Nd∶YAG棒的环形阵列准连续半导体激光器,分析了影响器件光电参数的几个主要因素,对实验结果进行了讨论。该器件采用单量子阱光电分别限制异质结结构,激光器的峰值波长为808±3nm,工作电流100A时,输出功率大于1200W(占空比为1%),光谱半宽小于4nm。     

1064nm应变量子阱的理论设计

根据应变理论及脊限深量子阱理论,对确定的In含量的InGaAs材料进行系统的计算,得到激射波长为1064nm激光器的应变量子阱的厚度,并采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长该应变量子阱,实验结果与设计波长基本一致。     

808nm激光器端面镀膜技术

通过对AlGaAs／GaAs808nm半导体激光器谐振腔的前后端面分别蒸镀Ta2O5／SiO2膜系高反膜和Al2O3单层增透膜，使得前后端面的反射率分别达到11％和98．42％。器件在同一驱动电流下镀膜后的输出功率比镀膜前增加了一倍多，同时镀膜还有效地保护了端面，延长了器件工作寿命。     

1310nm大功率高偏振度量子阱超辐射发光二极管

设计并制备了一种斜条脊波导结构压应变高偏振度多量子阱超辐射发光二极管.设计的脊波导出光面TiO2/SiO2四层宽带增透膜的TE模式反射率约为10-6,分析了脊波导角度偏差和膜层厚度偏差对增透膜反射率的影响.实验结果表明,在250 mA直流电流驱动下,所设计的超辐射发光二极管芯片单管输出功率可达22.7 mW,出射光谱FWHM约为37.3 nm,光谱纹波系数低于0.15 dB,TE模式输出光强占主导,偏振度约为19.2 dB.