| 1310nm大功率高偏振度量子阱超辐射发光二极管 |
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| 引用本文： | 周帅,许瑨,田坤,张靖,庞福滨,刘尚军,任涛,廖柯.1310nm大功率高偏振度量子阱超辐射发光二极管[J].半导体光电,2021,42(4):483-487. |
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| 作者姓名： | 周帅 许瑨 田坤 张靖 庞福滨 刘尚军 任涛 廖柯 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆400060;国网江苏省电力有限公司,南京210024;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院,南京211103 |
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| 基金项目： | 国家电网有限公司科技项目(5700-202018483A-0-0-00).通信作者:周帅 |
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| 摘 要： | 设计并制备了一种斜条脊波导结构压应变高偏振度多量子阱超辐射发光二极管.设计的脊波导出光面TiO2/SiO2四层宽带增透膜的TE模式反射率约为10-6,分析了脊波导角度偏差和膜层厚度偏差对增透膜反射率的影响.实验结果表明,在250 mA直流电流驱动下,所设计的超辐射发光二极管芯片单管输出功率可达22.7 mW,出射光谱FWHM约为37.3 nm,光谱纹波系数低于0.15 dB,TE模式输出光强占主导,偏振度约为19.2 dB.
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| 关 键 词： | 压应变多量子阱 超辐射发光二极管 增透膜 偏振度 |
| 收稿时间： | 2021/1/25 0:00:00 |
1310nm Quantum-well Superluminescent Diode with High Power and High Degree of Polarization |
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| ZHOU Shuai,XU Jin,TIAN Kun,ZHANG Jing,PANG Fubin,LIU Shangjun,REN Tao,LIAO Ke.1310nm Quantum-well Superluminescent Diode with High Power and High Degree of Polarization[J].Semiconductor Optoelectronics,2021,42(4):483-487. |
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| Authors: | ZHOU Shuai XU Jin TIAN Kun ZHANG Jing PANG Fubin LIU Shangjun REN Tao LIAO Ke |
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| Affiliation: | Chongqing Optoelectronics Research Institute, Chongqing 400060, CHN;State Grid Jiangsu Electric Power Co.Ltd., Nanjing 210024, CHN;Electric Power Research Institute of State Grid Jiangsu Electric Power Co.Ltd., Nanjing 211103, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | compressive strain multi-quantum-well superluminescent diodes antireflection coating polarization degree |
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