异步组合电路网表优化的研究

根据异步组合电路的特点，本章在传统的工艺映射算法的分解和覆盖两个步骤之间引进了新的一步-“延时再优化”，采用NAND3-Rotation的方法实现，对分解后网表的平均延时进行优化.在标准测试电路上的测试结果表明引进延时再优化能给异步电路的平均延时带来6～25%的改进。     

超深亚微米无负载四管与六管SRAM SNM的对比研究

采用基于物理的α指数MOSFET模型与低功耗传输域MOSFET模型，推导了新的超深亚微米无负载四管与六管SRAM存储单元静态噪声容限的解析模型．对比分析了由沟道掺杂原子本征涨落引起的相邻MOSFET的阈值电压失配对无负载四管和六管SRAM单元静态噪声容限的影响。     

适用于纳米电子器件的超长硅纳米线合成

采用SiO为起始原料、Ar为载气，蒸发温度1300℃、压力1～2×104Pa的生长条件下，成功地合成了超长的单晶硅纳米线；以SiO和P205混合粉末为起始原料时在相同的生长条件下实现了对硅纳米线的掺杂；借助电感耦合等离子体质谱仪（ICPMS）分析了硅纳米线P掺杂效果；利用扫描电镜（SEM）、高分辨透射电镜（HRTEM）、X射线衍射仪（XDR）等检测手段对硅纳米线进行了形貌和结构的表征，测试结果表明在不同的沉积区域硅纳米线具有大致相同的直径，但其长度随着温度的升高而变长，在1180℃的生长区域，硅纳米线的长度达到了150μm；硅纳米线表面氧化层经HF和NH4F混合溶液处理后被完全剔除。     

MOS电荷泵上升时间模型的建立

在 Dickson模型的基础上 ,通过对电荷泵模型的动态分析 ,推导了 MOS电荷泵的上升时间模型。并根据 MOS电荷泵实际工作情况 ,加入了衬偏效应及寄生电容等参数 ,使模型更符合实际情况。经 SPICE模拟验证 ,新模型更加符合实际 MOS电荷泵工作情况。     

基于Montgomery算法的智能卡RSA密码协处理器

对Montgomery算法进行了改进，提供了一种适合智能卡应用、以RISC微处理器形式实现的RSA密码协处理器。该器件的核心部分采用了两个32位乘法器的并行流水结构，其功能部件是并发操作的，指令执行亦采用了流水线的形式。在10MHz的时钟频率下，加密1024位明文平均仅需3ms，解密平均需177ms。     

MPEG-4中运动估值的低功耗VLSI设计

提出了一种适用于 MPEG-4标准的运动估值模块的低功耗 VLSI设计 ,它可以有效地支持包括全搜索块匹配算法及快速算法在内的四种 ME算法。通过考虑合理的数据流映射来减小访存带宽 ,处理单元内部进行比较以提早结束计算 ,以及用低功耗全加单元优化关键模块 ,在系统级、结构级和电路级实现低功耗性能 ,并给出了仿真结果。     

一种高性能低功耗直接数字频率合成器的设计

文章基于分段线性近似算法提出分段泰勒二阶近似算法，从频谱纯度分析了该算法的优越性，讨论了系数位数和分段数的选取，最后结合硬件优化的系统结构，设计实现了SFDR达102．3dB的数字频率合成器。综合结果表明，该算法实现的系统面积上要比分段线性近似算法的系统小20％，功耗上也小39．5％。与现有的其他数字频率合成器比较表明，在设计高频谱性能DDFS方面，其在功耗和面积上都具有较大优势。