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1.
介绍了通过对锰硅合金炉原PLC控制系统进行改造,采用了DCS控制系统,实现了锰硅合金电炉冶炼的专家控制系统、关键冶炼参数状态显示、故障诊断、设备运行状态数据的全生命周期记录,达到了提高生产效率和安全生产的目的。  相似文献   
2.
为求出嵌岩桩嵌岩段侧摩阻力的表达式,假定嵌岩桩桩侧破坏由桩岩接触面上的滑动引起,桩岩接触面的压力由加载前岩土层自重产生的侧压力和由剪切膨胀产生的应力增量组成.用弹性力学的方法求解出桩侧正应力,引入了岩石破坏的Hoek-Brown强度准则,由此求出了嵌岩段桩侧阻力的表达式,并指出了此公式的适用范围.最后结合工程实际进行了对比分析,表明本文方法具有一定的实用性.  相似文献   
3.
王勇刚  张忠文 《焊接》1999,(9):28-31
提出了100mW汽轮机主汽门阀体(ZG20CrMoV)的补焊工艺,分析了裂纹的形成原因,并应用于生产。  相似文献   
4.
王勇刚 《无损检测》1999,21(8):377-378
读了《无损检测》1998年第12期马铭刚高工的“超声波探伤中两个值得反思的问题”一文,作为一名火电厂的金属工作者,深有感触,下面谈谈体会.1 探头K值(1)附表中所列的是火电厂焊缝探伤工作中较常用的三个标准,其中作为行业标准的DL/T5048—95是以折射角表示探头性能,JB4730—94偏向于K值,作为国家标准的GB11345—89兼容上述两者,但偏向于用折射角表示探头性能.(2)即使是以折射角表示探头,也需知道探头的tgβ(即K值),以便在现场操作中对发现的信号进行粗略的估算,确定反射信号的大概位置,从而进一步确定其性质.因此,无论探头以K值或折射角表示,对于现场操作来讲,都要测定其确切的tgβ值,只是在文件或报告中的表示方法不同而已.(3)无论使用K值或折射角,对于使用单位来讲,都是根据标准或合同要求,按使超声波的主声束与可能出现缺陷的方向垂直的原则来选择探头的.  相似文献   
5.
嵌岩桩承载性状有限元分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
嵌岩桩由于其承载力高,其原型试验所需经费多,而且不易做到破坏,这就使对嵌岩桩的数值模拟成为必要。采用三维有限元方法对嵌岩桩的承载性状进行了模拟,对土、岩石均采用Drucker-Prager模型,在不同的工况下对嵌岩桩的承载性状进行了分析。最后,将三维有限元方法引入了具体的工程实例,把有限元分析的结果与实测的数据进行了比较分析,取得了较好的一致性,说明采用的有限元模型对嵌岩桩的分析是比较符合实际情况的。  相似文献   
6.
针对某型混凝土泵车核心液压部件一种新铸造主阀块的流道压力损失进行仿真和试验研究,采用计算流体力学(CFD)方法,结合油液流动特性模拟阀块内部流道的压力和速度分布情况,验证仿真的有效性。同时通过试验测试,对比新铸造主阀块和原机加主阀块的压力损失情况。得到的仿真值和试验值基本吻合,新铸造主阀块流道内的压力损失低于原机加主阀块流道内的压力损失,研究结果为阀块流道的结构设计及优化奠定了基础。  相似文献   
7.
王勇刚  程琳  何燕燕 《中国标准化》2024,(6):163-167+175
在试验操作中,有害细菌可以经由空气流通道或者试剂用品进行传染,而生物安全柜则可以防止在工作中所形成的气溶胶对外环境传播以及减少对操作者健康的影响,也能够减少样品间因为气溶胶污染而形成的交叉污染。生物安全柜作为一个有人员保护,同时保存生物试验样本与测试环境场所的装置,一旦生物安全柜中存在气体泄漏等质量问题,会对人类健康造成不可逆的影响。因此,为保证工作人员的安全防护和实验室环境不被污染,同时确保实验作业安全,提高生物安全柜安全的健康消毒意识,对生物安全柜的泄露监测也很有必要。本文按照我国计量校准规范JJF1815—2020《Ⅱ级生物安全柜校准规范》中对生物安全柜计量检测的规定,设计了一种专用气溶胶模拟的发生设备,满足应用于生物安全柜泄露测试实验,具备了强大的实用价值和普遍的环境适应性。  相似文献   
8.
半导体可饱和吸收镜实现高频脉冲激光研究进展   总被引:1,自引:1,他引:0  
介绍了作为固体激光器、半导体激光器和光纤激光器被动锁模吸收体的半导体可饱和吸收镜(SESAM)的基本原理和制作方法。详细阐述了利用半导体可饱和吸收镜对同体激光器和光泵垂直外腔面发射半导体激光器进行被动锁模,获得重复率为几吉赫到几百吉赫的超短脉冲激光的方法。  相似文献   
9.
对半绝缘GaAs晶片进行As^ 注入,注入能量为400keV,剂量为10^16’cm^-2,用这种注入条件下的GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在被动调Q闪光灯泵浦的Nd:YAG激光器上获得了62ns的单脉冲宽度,这是迄今为止国内最好的报道结果。  相似文献   
10.
新型材料InGaNAs的生长与应用前景   总被引:1,自引:0,他引:1  
详细介绍了一种新型半导体材料(InGaNAs)的生长特点及其在制作高特征温度的长波长量子阱激光器、长波长垂直腔面发射激光器、长波长光泵垂直外腔面发射激光器、半导体可饱和吸收镜和长波长谐振腔增强探测器方面的优势。  相似文献   
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