结构函数法评估漏源电压对AlGaAs/InGaAs PHEMTs热阻的影响

本文通过实验测量和仿真研究了不同漏源电压对AlGaAs/InGaAs PHEMTs热阻的影响。结果表明,等功率下,热阻随着漏源电压的减小呈下降趋势,并且小电压大电流下热阻值最小。应用结构函数法可以分别提取出芯片级和封装级的热阻值。模拟结果表明,沟道中电场最强的地方出现在靠近漏一侧的栅边缘,相对较小的漏源电压产生的电场也较低,这就是导致等功率下热阻随漏源电压下降的原因。     

Evaluation of the drain-source voltage effect on AIGaAs/InGaAs PHEMTs thermal resistance by the structure function method

The effect of drain-source voltage on A1GaAs/InGaAs PHEMTs thermal resistance is studied by experimental measuring and simulation. The result shows that A1GaAs/InGaAs PHEMTs thermal resistance presents a downward trend under the same power dissipation when the drain-source voltage （VDs） is decreased. Moreover, the relatively low VDS and large drain-source current （IDs） result in a lower thermal resistance. The chip-level and package-level thermal resistance have been extracted by the structure function method. The simulation result indicated that the high electric field occurs at the gate contact where the temperature rise occurs. A relatively low VDS leads to a relatively low electric field, which leads to the decline of the thermal resistance.     

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的可靠性

利用正向肖特基结结电压与温度的线性关系,对AlGaN/GaN HEMT器件有源区瞬态温升进行了测量,其热阻为19.6℃/W。比较了不同测温方法和外界环境对器件沟道温升的影响。并研究了栅极施加反向直流阶梯应力对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响,结果表明器件在应力作用下电学参数退化,大信号寄生源/漏极电阻RS/RD和栅源正向I-V特性在击穿后能得到恢复。AlGaN势垒层陷阱俘获电子和电子填充栅极表面态是器件参数退化的原因,表面态恢复是器件参数恢复的主要原因。     

微波场作用下碳纳米管量子点耦合器件的介观效应

利用非平衡格林函数理论对微波场辐照下的碳纳米管双量子点耦合系统的相干输运性质进行研究，发现单壁碳纳米管比金属电极提供更丰富的遂穿通道．微波场作用下的光子辅助隧穿（PAT）可以实现利用外场控制系统输运的目的．整个系统的输运受电极态密度、系统各部分耦合强度以及量子点内部库仑相互作用的深刻影响．     

不同磁芯材料在微电感中的应用

叙述了坡莫合金,铁氧体和非晶、纳米晶软磁等材料用作微电感磁芯的磁性材料的特性及其对微电感性能的影响,如电感量和Q值.并介绍了螺线管型微电感的制作工艺过程.     

FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB薄膜各层宽度对其巨磁阻抗效应的影响

采用射频磁控溅射方法，利用微细加工工艺制备了不同薄膜宽度的三明治结构FeCuNbCrSiB／Cu／FeCuNbCrSiB多层膜，在频率1～40MHz下研究了薄膜宽度对多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应的影响。结果表明，三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应随薄膜宽度的变化具有显著的影响，当FeCuNbCrSiB层、Cu层宽度分别取1．6rflrn、O．8rflrn时，GMI％达到最大值一21．22645％。     

黄河中游干旱指数计算方法探讨

利用近50年水文、气象资料，通过统计分析气温、降水变化对径流影响及气温、降水相互关系，发现近50年黄河中游呈“干暖型”；据此定义流域干旱及其指数计算思路，建立了干旱指数的计算公式，计算给出了1955～2002年黄河中游夏半年及初夏、盛夏、秋季的干旱指数系列。     

FeCuNbCrSiB薄膜的制备及其巨磁阻抗效应研究

采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了非晶的Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9薄膜及三明治结构M/C/M(M为Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9;C为Cu)的多层膜。在频率(1~40)MHz下,研究了薄膜材料的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场的变化关系。结果表明:单层膜的GMI效应较小,只有4.4%;而三明治结构多层膜的GMI效应,比单层膜有较大幅度的提高,在5MHz、120Oe下,纵向和横向GMI效应分别达–17.4%和–20.7%。薄膜材料的纵向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后减,而横向GMI效应随外加磁场的增加而单调递减,其变化规律与薄膜的易轴取向有很大关系。     

多层柔性材料输送装备的优化设计与研制北大核心

研制一种具有匀速和恒张力的多层柔性材料输送装备。通过放卷机构与恒张力控制,经自动纠偏器进行微调和精准定位,实现多层柔性材料的组合;运用伺服电机牵引组合后的多层柔性材料,采用编码器进行跟踪检测,有效地将多层材料在匀速、恒张力的情况下精准地输送到加工位。结果表明:机械传动、气压装置、电气控制及伺服电机驱动模块的有机配合,使得多层柔性材料输送更加稳定可靠。研究结果为抗疫物资生产装备创新优化和生产工艺优化提供参考。