Ag(TCNQ)纳米晶须的生长机理

本文采用真空饱和蒸汽反应法在相对较低的温度下制备了一系列一维纳米结构的金属有机配合物Ag(TCNQ).用多晶XRD谱表征了样品的成份和晶体结构,通过SEM观察到了不同生长阶段的形貌.纳米晶须的生长分别经历了溶解、结晶和单向生长三个阶段.在此基础上,利用VLS模型初步解释了其生长机理.     

ZnO溶胶制备及对真丝织物的抗静电整理

以乙酸锌、氢氧化钠为原料,采用溶胶-凝胶法合成了角锥状ZnO,用X-射线衍射仪(XRD)和电子扫描显微镜(SEM)对样品进行表征.将ZnO溶胶通过轧-烘-焙工艺整理到真丝织物上,对整理后织物的抗静电性、断裂强力、白度等性能进行测试.结果表明:整理后织物具有优良且耐久的抗静电性能,且整理对织物的白度和强度影响不大.     

退火温度对Ge-SiO2薄膜结构的影响

用射频磁控溅射制备了Ge-SiO2薄膜，在N2的保护下对薄膜进行了不同温度的退火处理。使用傅里叶变换红外光谱分析（FTIR）技术，X射线衍射谱（XRD），X射线光电子能谱（XPS）分析样品的微结构，研究样品在退火中发生的结构，组分的变化，结果表明退火温度对薄膜的结构，尤其是薄膜中的GeO含量和GeO晶粒的大小的影响是显著的，并对其做了详尽的分析讨论。     

Ge-SiO2薄膜的结构及其发光特性的研究

采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜，在N2气氛下进行了不同温度的退火处理，分析了样品在室温下的光致发光（PL）特性，为探讨其发光机制，对薄膜的结构进行了表征，XRD、XPS、FTIR谱分析说明样品的发光特性与其结构相对应，394nmPL由GeO缺陷引起，580nmPL与Ge纳米晶粒和基质SiO2界面处的发光光中心相联系。     

Ge-SiO2薄膜的XPS研究

采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜，在N2气氛下进行300℃到1000℃的退火处理30分钟，对样品进行XPS分析，研究了在不同退火温度下薄膜样品的成分与化学状态，为进一步探讨薄膜的光致发光机理提供了依据。结合XRD谱图分析结构可发现，退火处理对纳米晶粒的形成与长大起着关键作用。随着退火温度的升高，样品中的Si向高价态转化，Ge则向低价态转化；GeO含量在800℃退火样品中为最大，高于800℃退火样品中急剧减少。     

Ag(TCNQ)纳米线的制备和场发射性能研究

采用气-液-固反应方法在硅片上制备了取向金属有机配合物Ag(TCNQ)纳米线.样品的XRD特征峰与Ag(TCNQ)相对应;SEM形貌显示纳米线几乎垂直基片生长,直径在50～300nm,长度在2～50μm.初步对其场发射性能进行了研究,所得Ag(TCNQ)纳米线的最低场发射开启电压约为1.5Vμm-1,最大发射电流密度约为0.03mAcm-2,此时对应的电场约为2.5Vpm-1.由测量所得I-Ⅴ曲线得到的FoWler-Nordheim(F-N)曲线近似为一条直线,说明样品具有场发射性能.重复实验表明,Ag(TCNQ)纳米线的场发射具有一定的稳定性.结合纳米线制备工艺,初步分析了场发射性能的影响因素.     

单根Ag(TCNQ)微/纳米结构的光致变色特性研究

利用溶液化学反应法制备了准一维微/纳米结构的金属有机配合物Ag(TCNQ);X射线衍射(XRD)表明所制备的Ag(TCNQ)为晶态结构;扫描电子显微镜(SEM)的观察表明Ag(TCNQ)为准一维的微/纳米管或线.首先在自行研制的材料光学性能测试系统上对单根Ag(TCNQ)的光致变色特性进行测试,激光照射后颜色由深蓝变黄;然后利用显微Raman光谱仪对其光致变色机理进行了研究,激光照射后的光谱图中出现了明显的TCNQ分子的特征中性峰.如照射时间较长,超过30s,则TCNQ分子特征峰又消失.因此Raman测试结果证明单根Ag(TCNQ)微/纳米结构具有明显可逆的光致变色特性.     

基于p+-Si与n-ZnO纳米线的p-n异质结的制备及其性质研究

利用CVD蒸汽俘获法，在p^＋硅片上制备了垂直生长的n型ZnO纳米线阵列，用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌。测试发现样品的I-V曲线符合典型的p-n异质结特性，正向开启电压为0．5V，反向饱和电流为0．02mA。计算了异质结的理想因子η，发现当异质结两端偏压在0V-0．3V的低压区域，理想因子为1．85，而在0．3v-0．8v的高偏压区域，理想因子为8．36。解释了理想因子偏高的原因是由于金属一半导体接触以及ZnO纳米线与p^＋-si界而存在缺陷。     

锗纳米镶嵌薄膜的电致发光及其机制

采和射频磁控溅射技术,在Ge纳米镍嵌薄膜的基础上制备出电致发光器件。器件的结构为半透明Au膜／Ge纳米镍嵌薄膜／p-Si基片。当正向邻居坟大于6V时,用肉眼可以观察到可见的电致发光,但在反向偏压下探测不到光发射。所测电致发光谱中只有一个发光峰,峰位在510nm（2．4eV,绿光）,并且随着正向偏坟的升高,峰位不发生移动;对于不同温度退火的样品,峰位也保持不变。根据分析结果讨论了可能的电致发光机制。     

非晶SiOx薄膜的制备及光学特性的研究

采用双离子束共溅射方法制备了SiOx薄膜,XRD和TEM的分析表明SiOx薄膜为非晶结构,XPS分析表明样品主要是以SiO1.90的形式存在于薄膜中。其中吸收谱呈现了明显的吸收边蓝移现象,且随薄膜厚度的增加,光吸收谱中出现了较明显的宽化的吸收峰。在室温下观察到了可见光致发光（PL）现象,探测到样品有四个PL峰,它们的峰位分别为－320nm、－410nm、－560nm和－630nm,且峰位和峰强不随膜厚的增加而发生变化。