辉光放电离子溅射在扫描电镜样品制备中的应用

辉光光谱仪的样品激发方式是阴极溅射,逐层分离。这个特点决定了该技术也可用于扫描电镜的样品制备中。扫描电镜可以用于观测热镀锌板镀层中的各种相,但由于某些相的厚度太薄,截面无法观测。本文利用辉光光谱仪对热镀锌板样品进行表面溅射,用扫描电镜对得到的不同厚度处的“新”表面进行了形貌观测,用能谱仪进行成分分析,达到了观测镀层中几乎所有相的目的,表明辉光放电离子溅射是一种可行的扫描电镜样品制备方法。     

高碳钢连铸方坯中心偏析的原位统计分布分析研究

在钢铁轧制及后续工艺中,需要掌握连铸方坯的元素偏析情况。本文采用原位统计分布分析技术研究了高碳钢连铸方坯中C、Si、Mn、P、S、Cr 等元素的偏析状态,重点讨论了金属原位仪的扫描速度优化对分析结果的影响。将连铸方坯中心线部分原位分析的一维偏析分布图与ICP-AES 和红外吸收法多点取样分析的偏析分布图进行了对比,发现两种方法的偏析分布图具有良好的一致性,表明原位统计分布分析技术能较好的应用于连铸坯的元素偏析检验。     

苦楝树叶色素的提取工艺研究

通过单因数探讨了从苦楝树叶中提取色素的工艺条件,得到了苦楝树叶水提色素、碱提色素和醇提色素的最佳工艺条件。三种条件下提取的色素成分稍有不同,碱性条件提取的色素量较大。     

二苯卡巴肼光度法测定镀铬板表面铬氧化物含量

测定镀铬板表面镀层中铬氧化物及金属铬意义重大,但以往测定的大都是镀铬板表面铬氧化物量(以铬计,下同)和金属铬量的总和。实验在A657/A657M-03标准附录中测定镀铬板表面铬氧化物方法的基础上,通过采用辉光光谱法对氢氧化钠溶液浸泡镀铬板前后的表面进行对比分析,证实了氢氧化钠溶液仅对镀铬板表面的铬氧化物有溶解作用,而不能溶解金属铬,同时优化了铬氧化物的溶解条件和光度法测定条件。实验表明:将镀铬板浸泡到300 g/L 90 ℃的NaOH溶液中20 min可将镀铬板表面铬氧化物溶解完全;在样品溶液中加入H₂SO₄(1+1)中和至pH为7,再加入5.0 mL硫磷混酸(3+3+4)、2.0 mL AgNO₃溶液以及5.0 mL(NH₄)₂S₂O₈溶液,加热至沸腾并保持约10 min以破坏过氧化物,冷却至室温后加入3.0 mL二苯卡巴肼溶液并稀释至100 mL,在542 nm处于2 cm比色皿中测定,Cr质量在0.24～100 μg之间有较好的线性关系,其线性方程为A=0.002 1+0.013 m_Cr(μg),相关系数为0.999 7。方法检出限为0.24 μg,测定下限为1.2 μg。将最终所测得镀铬板表面铬氧化物的量除以镀铬板试样面积,最终可计算出单位面积内镀铬板表面铬氧化物的含量。采用实验方法对两类镀铬板表面铬氧化物进行测定,所得平均含量分别为12.8 mg/m²和11.1 mg/m²,其相对标准偏差分别为3.1%(n=5)和3.6%(n=5)。对镀铬板试样进行加标回收,测得铬氧化物的加标回收率在92%～101%之间。     

钢中铝系夹杂物含量的原位统计定量方法探讨

对原位统计分布分析(OPA)中铝系夹杂物含量的两种定量分析数学模型进行了研究, 并将其应用于多种钢铁光谱标准样品和中低合金钢实际样品中铝系夹杂物的含量分析。探讨了两种定量数学模型的适用范围和应用条件, 发现样品中铝系夹杂物的颗粒大小分布对两种定量模型的应用有重要影响, 而且当样品中总铝的含量低于0.2%时, 所选定的定量模型计算夹杂铝的含量能取得较为满意的结果, 与湿法化学分析差减所得到的酸不溶铝含量具有较好的一致性。     

彩磨工艺原理的研究

彩磨工艺区别于普通石磨工艺在于利用冰染料的上染特性，将色其吸附在载体上，在与服装的自然滚动过程中，色基与已打底的色酚偶合，达到上染目的，是由无色到有色的加工过程。     

一种单桩承载力的计算方法

通过对桩静载试验的荷载—沉降曲线的分析,依据荷载传递规律,提出按桩—土共同工作确定单桩承载力的一种计算方法。     

SSR路由器的安全管理

路由器的安全是网络安全的重要环节。本文以SSR路由器为例,从路由器的访问控制策略、流量控制、路由安全等方面讲述了如何对路由器进行安全管理,以及相应的配置方法。     

钢中硫化锰和氮化铝析出相标准样品的研制

对钢中硫化锰、氮化铝析出相标准物质的研制过程，钢种的选定，析出相的结构确定，析出相提取及分析方法的确定，元素和析出相的偏析检验，标准值的确定作了较详细的介绍。     

用MPCVD法在WC-Co刀具上沉积金刚石薄膜(英文)

研究了硬质合金基体的预处理对金刚石沉积的影响,并确定了用 MPCVD法在 WC－ Co刀具 上沉积金刚石薄膜的工艺参数。采用了一些提高成核密度和沉积速率的方法, 用 SEM、 XRD和 Raman对金刚石薄膜的性质进行了分析。结果表明,合适的预处理可以有效的抑制钴的溢出并提 高薄膜的质量。