P型μC－SiC：H窗口材料掺杂特性的研究

用等离子体射频辉光放电法，在低衬底温度（＜１７０℃）、小ｒｆ功率（＜６０ｍＷｃｍ２）条件下，实现了硼掺杂硅碳合金薄膜材料的微晶化。获得了暗电导率σＤ～０．２ｓｃｍ－１、光带隙宽度Ｅｏｐｔ～２．２ｅＶ的ｐ型微晶氢化硅碳合金（μＣ－Ｓｉ：Ｂ：Ｈ）薄膜。晶化的关键是Ｈ２稀释率和掺杂水平的控制。对该材料的掺杂效应、光电特性以及掺杂水平对材料结构的影响进行了详细研究。     

LCoS微型显示器设计与制造的特殊性分析

LCoS显示技术是近几年特别受业界关注的新型显示技术之一,由于其具有高分辨率、高像素密度和低成本等特点,在微型显示器和投影显示器方面具有巨大的市场潜力。从LCoS硅背板设计、制造工艺和液晶盒组装等方面,阐述了LCoS显示关键技术的特殊性及发展趋势。     

一种新的掩膜材料——a-Si∶H合金薄膜

本文分析了集成电路掩膜材料的发展过程,特别是彩色版的发展及其应用,从而提出以a-Si:H合金薄膜作为一种新的掩模材料的可能性.我们认为由于a-Si:H中大量的H的存在,明显地改变了a-Si的光学吸收边,比起单晶硅要向短波方向移动0.5ev.同时利用a-Si:H的高吸收系数,可使这种材料具有以下透光特性,即在短波方面把所     

掺磷氢化硅低温微晶化的研究

我们用辉光放电法在较低的衬底温度下(90℃)获得了掺磷微晶化硅(n~+μC-Si).并对微晶化与工艺条件之间的关系进行了详细的研究,在150℃衬底温度,2％掺杂时获得了电导率近30(Qcm)~(-1),电导激活能近似为零的微晶化材料.对微昌化材料的结构进行了小角度X光衍射,拉曼散射谱的分析,并用扫描电镜观察了形貌.这种材料的晶粒较小而且结构均匀.又由于生长温度低,rf功率小,有利于与其它器件工艺匹配.文章对实验结果进行了讨论.     

400cm2 a-Si/a-Si叠层太阳电池的研究

以全部国产化装备和工业用原材料，以简单铝背电极制备出初始效率为８．２８％，经室外阳光照射一年后稳定效率为７．３５％，面积为２０ｃｍ×２０ｃｍ，有效面积为３６０ｃｍ２ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ叠层太阳电池。主要制备技术措施：（１）ＴＣＯ／ｐ界面接触特性的改善；（２）μｃ－ＳｉＣ∶Ｈ／ａ－ＳｉＣ∶Ｈ复合窗口层技术；（３）ｐ／ｉ界面Ｈ处理；（４）高质量本征ａ－Ｓｉ∶Ｈ材料；（５）优良的ｎ１／ｐ２隧道结；（６）最佳电池结构设计等。