矿用高压变频器中IGBT模块在阶跃脉冲下局部放电特性

针对矿用高压变频器常因 IGBT 模块内部发生局部放电而导致故障的原因和特性进行了研究。 本文从微观角度观察了 IGBT 模块局部放电发生位置的结构特点,发现其结构绝缘薄弱处在高斜率阶跃脉冲作用下易发生局部放电现象;建立了 IGBT 模块在阶跃脉冲作用下的局部放电过程模型,揭示其发生局部放电的机理;搭建实验平台,测试 IGBT 模块在单个脉冲作用下的局部放电特性。 实验结果表明,脉冲的上升时间、脉冲宽度是影响局部放电起始电压的主要因素;根据实验数据的分析,提出了预测局部放电起始电压的计算公式。 研究结果可为煤矿电力电子设备 IGBT 模块的绝缘设计和使用时的电压限制提供参考依据。     

安捷伦推出新型8990B峰值功率分析仪

安捷伦科技公司日前推出最新的Agilent 8990B峰值功率分析仪．该分析仪在峰值功率脉冲分析方面具有业界最快的测量速度和最出色的测量精度．适用于航空航天、国防和无线通信等市场。     

基于内置光栅的大功率激光二极管

研制了一种用作光纤激光器泵浦光源内置光栅的976 nm激光二极管,分析了外延结构和芯片平面结构设计,并着重对内置光栅进行了理论分析和设计,通过技术研究和工艺优化,研制出了满足系统工程应用的激光二极管,其主要光电性能参数如下:中心波长为976±1 nm;光谱半宽小于等于1 nm;中心波长温度漂移系数小于等于0.1nm/℃;输出功率大于等于10W;发光条宽度小于等于100 μm.     

高速公路砂性土路基施工技术研究

砂性土是路基施工中的重要填筑材料，但由于砂性土特有的力学性质，不能直接作为路基的持力层。文章主要介绍砂性土的物理和力学性能指标以及砂性土路基的特点及常见病害，并就如何在公路建设中处理好砂性土路基问题提出了自己的一些经验与看法，供大家交流学习。     

覆盖S+C波段的宽光谱带宽InGaAlAs/InP量子阱结构

通过理论仿真和实际制备测试,分析比较了基于非对称量子阱结构(10 nm厚和6 nm厚的量子阱组合)的光放大芯片与对称量子阱结构(10 nm厚量子阱)的光放大芯片的性能。两种结构的理论模式增益同最终实测值符合较好。最终光谱测试结果显示,对称量子阱结构的光放大芯片存在基态增益饱和的现象,在大电流注入情况下,激态跃迁占据优势,从而造成光谱宽度急剧下降。而非对称量子阱结构的光放大芯片的光谱宽度随着注入电流的增加不断拓宽,在600 mA下实现199.7 nm光谱带宽,覆盖S+C波段。由此可见,非对称量子阱结构更有利于实现高功率、宽光谱的光放大芯片。     

基于aRM的风机监控系统研究

如今嵌入式系统发展并应用于各个领域。该文探讨了基于a RM的风机监控系统研究理论,重点解决并实现了风机的远程集中自动化控制,并可在触摸屏上实时在线监测风机的各项参数和超限报警。     

某些物质对细菌Xg—O2果胶酶活性的影响

在芽孢菌Xg-O2的培养基中添加乳糖、油酸钠、醋酸钠、吐温80、吐温40、抗坏血酸、甘油、葡萄糖等,研究它们对Xg-O2细菌果胶酶活性的影响,结果显示,在培养基含0.2%、0.3%、0.4%的乳糖,油酸钠、醋酸钠、吐温40、吐温80时,果胶酶活性都有不同程度的提高,提高最多达30%;葡萄糖和甘油对果胶酶的活性有降低作用。     

一维光子带隙光子晶体激光腔的特性分析

利用平面波展开法与时域有限差分法分析计算了一维光子带隙光子晶体腔的特性。得到了品质因子Q为2.2×106,模体积V为0.278(λ/n)3的一维带隙光子晶体腔。分析了渐变区、腔镜子区及缺陷区对腔品质因子Q和模式体积V的影响。引入渐变区、选择适量周期数及一定缺陷区长度都可以提高腔性能。该结论为设计优化一维光子带隙光子晶体腔提供了有效的理论分析依据与指导。     

CCD太阳角计中的形心计算法

本文提出了CCD太阳角计的形心计算法,按这一方法制成的二轴细分型CCD太阳角计的精度比用传统方法在相同条件下制成的太阳角计的精度高几十倍。形心计算法还可以广泛应用于各种CCD测量仪器,从而根本上改善这类仪器的性能。     

基于DM642的以太网通信接口设计

基于TI公司数字媒体DSP芯片DM642,设计并实现了以太网通信软硬件接口。采用DM642片内集成的以太网接口模块EMAC/MDIO,结合片外Intel LXT971 PHY芯片,在嵌入式操作系统DSP/BIOS架构上,运用网络开发包NDK提供的TCP/IP协议栈,实现了底层硬件驱动程序的编制及其协议栈接口,完成了视频信息的以太网传输。