城市地下空间开发利用现状及未来发展理念

城市快速发展出现诸如环境污染、资源短缺、交通拥堵、房价高等“大城市病”问题,破解“大城市病”的最佳选择在于开展城市地下空间开发利用。归纳我国大城市建设存在的“大城市病”特征,提出了城市地下空间开发利用对于城市可持续发展的现实意义,对国内外城市地下空间开发现状进行了综述,明确了当前城市地下空间开发利用存在的核心问题及发展方向;基于国内外现状分析,明确进行了我国未来地下城市空间开发利用的发展原则;提出未来地下城市规划布局发展的若干理念,从法制构建角度倡导树立第四国土、地下红线理念;从规划、设计、建造角度推崇融合设计、规划留白、智慧建造等理念;从空间角度提议采用节点TOD空间布局理念;从可持续发展角度坚持以人为本理念。本研究综述及发展理念旨在为未来大城市立体空间联动利用提供模式借鉴。     

虚拟运营商的发展模式讨论

从虚拟运营商产生的背景出发,分析全球成功虚拟运营商所具备的基本要素,结合国内虚拟运营商的生存困境,深入剖析虚拟运营商与基础运营商的特征差异,给出国内虚拟运营商出现困境的根本原因。继而对虚拟运营商进行分类梳理,从病症上找原因,相应给出符合其发展规律的合理化建议和意见,以供国内虚拟运营商的健康发展提供参考。     

Cusp磁场中CZ硅氧浓度分布的数值模拟

利用FEAMG-CZ软件,模拟研究了cusp磁场对称面(定义为0高斯面)与熔体自由表面距离对直拉硅固液界面氧浓度分布的影响。结果表明:随着0高斯面的下移,熔体中的最小氧浓度降低,而固液界面的氧浓度升高,且径向均匀性变差。分析表明,这与熔体自由表面处的Marangoni流有关,抑制该流动有利于熔体中氧的蒸发,从而在自由表面下获得更低氧浓度的熔体,但会阻碍自由表面下方低氧熔体往固液界面的输运。因此,推断当0高斯面位于熔体自由表面下某一位置时,固液界面氧浓度将达到最低。模拟中,该位置位于Hm=0～-0.01m之间。     

三网融合背景下的网络解决方案

为了进一步了解三网融合对广电、电信行业的影响,给出了两大行业在三网融合背景下的应对举措;结合对国家三网融合政策的分析,提出了厂电和电信运营商的合作模式,以及小区级接入的综合解决方案。     

6层框架结构楼房第2次爆破拆除施工

叙述了6层框架楼房爆破拆除未倒的概况并分析了其原因。在此基础上，提出了再处理爆破方案和爆破参数设计，并付诸实施，最终顺利拆除了末倒的楼房，取得了成功的经验。     

浅谈高校反腐倡廉宣传教育应把握的关键环节

反腐倡廉宣传教育是全党思想政治工作的重要组成部分宣传教育,必须紧密结合高校自身的特点,正确把握宣传教育的规律,性和实效性。是党风廉政建设和反腐败斗争的治本之策。高校的反腐倡麻不断创新宣传教育的内容和方式,切实提高宣传教育的针对     

低温注入硅片中的锗在快速热处理后的再分布

大剂量(4×1016cm-2)的Ge离子在77K低温下被注入于(100)硅片中,并结合随后的1080℃快速热处理(RTP)以形成Si/SiGe异质结构.用卢瑟福背散射技术和二次离子质谱技术研究注锗硅片退火前后Ge的分布.结果表明,快速热处理退火不仅能使注锗硅片发生固相外延生长,表层形成合金层,而且导致Ge向表面的质量运输.最终出现平台式的Ge分布形态.快速热处理后Ge这种再分布被认为有利于提高HBT的增益和获得表面应变沟道.     

注氢硅中微结构缺陷的TEM观察

通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带，损伤带的位置和注人氢的分布几乎一致，推断损伤带是由于氢的注入引起的。损伤带内主要以平行于正表面的{111}面状缺陷为主，另外还有斜交于正表面的{111}面状缺陷以及{100}面状缺陷，这是由于氢朝能量低的位置的迁移聚集而形成的。在损伤带的中间还可见到晶格紊乱团块和空洞，这是由于损伤带中间存在高浓度的氢和高密度的面状缺陷面导致形成的。     

面向对注氢硅片中微结构的影响

把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子.     

TD-SCDMA基站能力分析

在给定话务模型以及合理假设的情况下，给出不同业务占用信道资源的情况，以及TD-SCDMA基站单载波情况下所能提供的话务量及数据吞吐量。