| Cusp磁场中CZ硅氧浓度分布的数值模拟 |
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| 引用本文： | 王永涛,库黎明,徐文婷,戴小林,肖清华,闫志瑞,周旗钢.Cusp磁场中CZ硅氧浓度分布的数值模拟[J].微电子学,2012,42(5):729-732. |
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| 作者姓名： | 王永涛 库黎明 徐文婷 戴小林 肖清华 闫志瑞 周旗钢 |
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| 作者单位： | 1. 有研半导体材料股份有限公司,北京100088;北京有色金属研究总院,北京100088
2. 有研半导体材料股份有限公司,北京,100088 |
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| 摘 要： | 利用FEAMG-CZ软件,模拟研究了cusp磁场对称面(定义为0高斯面)与熔体自由表面距离对直拉硅固液界面氧浓度分布的影响。结果表明:随着0高斯面的下移,熔体中的最小氧浓度降低,而固液界面的氧浓度升高,且径向均匀性变差。分析表明,这与熔体自由表面处的Marangoni流有关,抑制该流动有利于熔体中氧的蒸发,从而在自由表面下获得更低氧浓度的熔体,但会阻碍自由表面下方低氧熔体往固液界面的输运。因此,推断当0高斯面位于熔体自由表面下某一位置时,固液界面氧浓度将达到最低。模拟中,该位置位于Hm=0～-0.01m之间。
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| 关 键 词： | cusp磁场 直拉硅 氧浓度 数值模拟 |
Numerical Simulation of Oxygen Concentration of CZ-Si in Cusp Magnetic Field |
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| WANG Yongtao
,
KU Liming
,
XU Wenting
,
DAI Xiaolin
,
XIAO Qinghua
,
YAN Zhirui
,
ZHOU Qigang.Numerical Simulation of Oxygen Concentration of CZ-Si in Cusp Magnetic Field[J].Microelectronics,2012,42(5):729-732. |
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| Authors: | WANG Yongtao KU Liming XU Wenting DAI Xiaolin XIAO Qinghua YAN Zhirui ZHOU Qigang |
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| Affiliation: | 1,2(1.Grinm Semicond.Mater.Co.,Ltd,Beijing 100088,P.R.China; 2.General Res.Inst.for Non-Ferrous Metals,Beijing 100088,P.R.China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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