PP-R给水管材检测方法探讨

PP R给水管材属新产品 ,有关其产品标准及检测方法的国家标准尚未出台 ,本文就如何规范PP R给水管材检测作一些探讨     

PHEMT结构材料及器件

概述了微波毫米波赝配结构高电子迁移率晶体管材料的结构特性,研究了该材料的分子束外延生长工艺,并且报道了用这种材料研制的赝配结构高电子迁移率晶体管的器件研制结果。     

泵送混凝土的质量控制

通过对某工程现场实施全方位的质量监督,认为尽管泵送混凝土与普通混凝土在性能上不尽相同,质量控制较普通混凝土也有较大差异,但只要严格控制,其质量是完全可以保证的。     

GPS测量技术在工程测绘中的应用探析

GPS 的出现和快速发展对社会生产各个方面都起到了变革性的巨大作用。GPS测量技术的不断进步不仅改变了测绘工作的工作方式,还大大提高了测绘工作的工作效率和精准度,并拓展了工程测绘的服务领域。本文就 GPS测量技术的特点和在工程测绘中的应用进行了分析,希望能为同行提供一些参考和帮助。     

常见电力线路设计中的问题

由于在设计电力线路的过程中存在许多问题,所以,必须要寻求方法解决,并不断做出具有创新性的设计,将资源很好地利用起来,优化设计方案,这样才能使我国的电力系统设计更加完善。     

电力线路设计路径的选择与定位

在进行电力线路工程设计的时候，进行线路路径选择是一项政策性和技术性很强的工作，其对线路本身的经济性、施工情况、运行情况以及维护情况有着明显的决定作用。此外，在进行线路设计的时候，线路杆塔定位也是非常重要的，其和线路施工、造价、运行以及维护有着直接的关系。所以，在进行电力线路工程设计的时候，必须全方面考虑到各种细节问题，提高线路工程设计的质量。     

分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用

用分子束外延技术生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料,并用ＨＡＬＬ效应法和电化学Ｃ－Ｖ分布研究其特性。讨论了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ宜质结杨效应晶体管（ＨＦＥＴ）的优越性。和ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴＳ或ＨＥＭＴ相比,由于ＨＦＥＴ没有Ａｌ组份,具有低温特性好,低噪声和高增益等特点。本文研究了具有ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ双沟道和独特掺杂分布的低噪声高增益ＨＦＥＴ。     

GaAs中Si扩散机制的研究

本文报道采用选择性掺杂的多晶硅热退火掩膜作扩散源进行的ＧａＡｓ中Ｓｉ扩散机制的研究结果．发现共Ｐ扩散时，样品表层的电学性能明显提高．Ｓｉ杂质的内扩散小；共Ａｌ扩散时，Ｓｉ杂质内扩散很深．用ＧａＡｓ中化学配比平衡观点讨论了扩散层中杂质分布与电学性能关系，认为Ｓｉ杂质在ＧａＡｓ中的热扩散主要由Ａｓ空位浓度决定．     

PHEM T 材料MBE 生长及其应用

我们对PHEMT材料中应变沟道InGaAs层生长条件进行了优化,并采用了LT-GaAs中缺陷扩散的阻挡层.功率PHEMT器件结果为在栅长Lg=1.0μ时,跨导g\-m≥400 ms/mm,BV\-\{DS\}>1 5V,BV\-\{GS\}>10V表明该材料有较好的性能.作为材料的缓冲层,结果表明器件性能优良 ,是国内最好结果.