具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件

深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.     

具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件

深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.     

基于JSF的Web表示层设计与实现

JSF是SUN制定的一种用于构建Web应用系统的标准框架。JSF基于事件响应机制。JSP和Facelets作为表示层的实现,为Web应用系统的构建提供强大的支持。但是随着系统规模的不断扩大,采用JSP或者Facelests会使得系统后期难以维护。以JSF技术为基础,结合Facelets和JSP建立静态和动态模型并实现Web表示层,简化程序员的开发,提高项目开发效率,利于后期扩展和维护。     

220kV变电站电气工程的管理途径探析

首先分析了220kV变电站电气工程管理现状,进而提出了做好220kV变电站电气工程管理的主要途径。     

基于PC+PLC的智能检测系统通讯错位控制系统设计

智能检测控制系统是智能检测设备的核心技术。基于PC+PLC结合的智能检测设备控制系统中，PC和PLC处理中心的信息在交换过程中，保证信息匹配的准确性和可靠性是整个智能检测设备控制系统的关键技术问题。该文基于PC+PLC的智能检测系统的结构及原理，通过工序设定及控制程序的设计分析，采用对物料身份信息识别并结合数据队列处理的方式，得到匹配好的信息组合，通讯时以信息组为单位传递，以此解决信息错位问题。经不同应用场景的智能检测设备实际应用，验证了此方法的可靠性。     

具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件

深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术，特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术，它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%. 而且空穴有效迁移率的改善，随器件特征尺寸缩小而增强. 利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明，在沟道区相应的压应变为-3.6%. 在集成技术优化的基础上，研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路（其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器）, EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.