高引燃脉冲新HiPIMS模式对TiN/CrN多层膜结构和性能的影响EI北大核心CSCD

多层TiN/CrN薄膜能显著改善复杂环境下部件的性能和寿命,为获得性能良好的TiN/CrN多膜层,提出一种高引燃脉冲新HiPIMS模式(高功率脉冲磁控溅射技术)的新放电技术,在一到四引燃脉冲个数条件下制备TiN/CrN多层薄膜。结果表明,随着引燃脉冲个数的增加,TiN/CrN薄膜膜基结合力增加,三引燃脉冲条件下结合力达到HF1(压痕法结合力指标,HF1为性能良好)压痕边缘膜层出现碎裂但膜层并未崩裂,在四引燃脉冲条件下膜基结合力也为HF1,且相较三引燃脉冲膜层碎裂也消失,膜基结合力最佳。同时,随着引燃脉冲个数的增加,膜层的粗糙度下降,磨痕变窄,硬度增强,硬度的波动范围减小,薄膜摩擦因数逐渐降低,四引燃脉冲条件下摩擦因数为0.25,膜层厚度呈先增加后减小的趋势,在三引燃脉冲个数条件下达到最大值332.1 nm试验结果表明引燃脉冲能够强化膜层与基体之间的结合力,硬度以及摩擦磨损的性能,细化晶粒。     

细长管内表面镀Cu过程中的空心阴极辉光电

为了在细长管内壁获得质地均匀的 Cu 膜层，采用射频耦合直流空心阴极放电的方法，研究在长度 200 mm、内径 6~ 12 mm 的细长管内沉积 Cu 薄膜时的放电情况。通过探究改变耦合直流电压、射频电压、中频电压以及管内径和测量管内轴向不同位置带来的放电影响情况，获得最佳的放电参数。研究发现，耦合直流电压越高、射频功率越高，则放电过程中的 Ar*、Ar⁺ 、Cu⁺ 活性粒子数量越多；增大中频电压，Ar*和 Cu⁺ 光谱峰值强度呈现“V”字形，即先降低后升高，Ar⁺ 光谱峰值强度在 0~40 V 时处于稳定的状态，在 40 V 开始上升，并且在 60 V 之后快速上升；管内径 10 mm 时放电效果最佳，在内径为 6 mm 到 10 mm 的管内 Ar*、Ar⁺ 、Cu⁺ 粒子数目增多，当内径到达 12 mm，三种活性粒子迅速减少。通过对 200 mm 长、 10 mm 内径管内不同轴向位置的测量，发现细长管中部(100 mm)放电强度高于管口(10 mm)和管尾(190 mm)。     

低气压下占空比对细长管空心阴极辉光放电电流的影响

为了在细长管内壁获得性能良好质地均匀的膜层,本文在低气压条件下、采用细长管作真空阴极进行空心阴极辉光等离子体放电.通过研究对多种气氛(纯Ar、纯N2、氮气氩气混合)下平均电流、电流峰值的实时测量对比了不同脉冲占空比条件下等离子体放电流,讨论和分析了多气氛下改变占空比所带来的影响.实验结果显示使用频率为40 kHz的脉冲...