二元A-15相的形成及其T_c变化的参数规律——电子密度和组元半径比的综合影响

A-15相是一类特殊的A_3B型化合物,其中A元素必须是ⅣA,ⅤA,ⅥA族过渡元素。电子密度e/a和组元A,B的半径比r_A/r_B是决定A-15相性质的两个重要因素。Matthias首先注意到e/a对A-15相超导临界温度T_c的影响。当e/a=4.7和6.5时,T_c分布的包络线上出现两个峰。但也有不少A-15相虽然具有最适宜的e/a值,T_c仍很低,甚至根本没有超导性。Hartsough总结了影响A-15相形成的因素,认为r_A/r_B=     

热处理对Bi－Pb－Sr－Ca－Cu－O超导材料结构和超导性能的影响

利用原位电阻测量、热重分析、电镜观察和电子探针等多种实验手段研究了Ｂｉ_（１．６）Ｐｂ_（０．４）Ｓｒ_２Ｃａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（１０＋δ）（下称ＢＰＳＣＣＯ）超导材料在不同温度（６５０—８００℃）和不同氧分压（氧气、空气和氮气）下热处理过程中结构变化及其对超导电性的影响，实验结果表明，在稍高氧分压下退火，２２２３相中的Ｐｂ￣（＋２）离子将失稳析出体外，生成类Ｃａ_２ＰｂＯ_４杂相，导致电阻率和重量增加，其调制结构由纯Ｐｂ型（ｑ＝βｂ）逐渐变为纯Ｂｉ型（ｑ＝βｂ＋ｃ），在低氧分压下退火，类Ｃａ_２ＰｂＯ_４杂相将分解，整个过程基本可逆．此外还发现，适度析出类Ｃａ_２ＰｂＯ_４杂相，２２２３母相的超导转变温度将增高，材料的电传输特性亦将得到改善．     

Fe-Ti-N合金α相区淬火的S-I交互内耗峰

四种不同Ti浓度的Fe-Ti合金,加氮到N/Ti>1之后,发现有两个内耗峰,并且随氮浓度之增加而同时升高。20℃处的峰是氮的Snoek峰,160℃附近的是s-i峰。s-i峰的峰高和Ti浓度成线性关系,表明起峰的反应只涉及孤立的Ti原子,与Ti-Ti原子对或杂质原子团都无关系。提出了产生s-i峰的二种缺陷中心——Ti-N对缺陷和N-Ti-N仨缺陷——的模型(图7)。氮占Ti位就构成对缺陷,其中的Ti,N原子亲和力很强,只要合金中尚存有自由Ti原子,就不可能存有自由氮原子,因此N/Ti≤1以下,不会出现Snoek峰或s-i峰。N/Ti>1之后,多余氮原子要在对缺陷的OⅡ位和T_3位之间以约1:10的比例进行分配,直到绝大部分的对缺陷转化为仨缺陷。N/Ti(?)2以后,几乎所有的多余氮都进入了仨缺陷的OⅡ位,此时s-i峰的弛豫强度突然增加10倍。淬火时冻结在α-Fe基体中的过饱和氮、要扩散到OⅡ位(扩散距离～10(?)),以期达到室温下的再分配,因此引起Snoek峰室温下的迅速衰减。s-i峰的形状,只取决于多余氮的浓度,与淬火温度、冷却速度无关。     

硅中氢分子和空位型缺陷间的相互作用

利用MNDO方法和模型硅晶体计算了硅中氢分子和空位型缺陷问的相互作用能.得到了晶体硅中氢分子和空位型缺陷倾向于相互结合,含氢空位型缺陷可成为硅中氢和空位聚集的核心的结论.     

YBa_2Cu_3O_x红外吸收谱随氧含量变化的研究

YBa_2Cu_3O_x红外吸收谱中有两个特征吸收峰P_1(620～642cm~(-1))、P_3(540～585cm~(-1)),它们的频率和YBa_2Cu_3O_x中的氧含量密切相关,并且P_1、P_3吸收峰的频率在不同范围内分别对应YBa_2Cu_3O_x的正交相、四方相及正交相向四方相的过渡。根据实验结果,我们提出了一个简单模型来解释YBa_2Cu_3O_x的T_c值与其氧含量x之间的S形关系曲线。     

THE SUBSTITUTIONAL-INTERSTITIAL INTERACTION PEAK IN Fe-Ti-N SYSTEM QUENCHED FROM α-PHASE REGION

四种不同Ti浓度的Fe-Ti合金,加氮到N/Ti>1之后,发现有两个内耗峰,并且随氮浓度之增加而同时升高。20℃处的峰是氮的Snoek峰,160℃附近的是s-i峰。s-i峰的峰高和Ti浓度成线性关系,表明起峰的反应只涉及孤立的Ti原子,与Ti-Ti原子对或杂质原子团都无关系。 提出了产生s-i峰的二种缺陷中心——Ti-N对缺陷和N-Ti-N仨缺陷——的模型(图7)。氮占Ti位就构成对缺陷,其中的Ti,N原子亲和力很强,只要合金中尚存有自由Ti原子,就不可能存有自由氮原子,因此N/Ti≤1以下,不会出现Snoek峰或s-i峰。N/Ti>1之后,多余氮原子要在对缺陷的OⅡ位和T_3位之间以约1:10的比例进行分配,直到绝大部分的对缺陷转化为仨缺陷。N/Ti(?)2以后,几乎所有的多余氮都进入了仨缺陷的OⅡ位,此时s-i峰的弛豫强度突然增加10倍。 淬火时冻结在α-Fe基体中的过饱和氮、要扩散到OⅡ位(扩散距离～10(?)),以期达到室温下的再分配,因此引起Snoek峰室温下的迅速衰减。s-i峰的形状,只取决于多余氮的浓度,与淬火温度、冷却速度无关。     

CZ—Si辐照缺陷的红外研究

报道了高碳CZ-Si经中子和电子辐照后产生氧-缺陷复合体的研究结果。电子辐照产生的830cm~(-1)峰在退火时转化成889、904、969、986、1000及1006cm~(-1)峰的退火曲线支持了Corbett和Stein提出的多重氧-缺陷复合体的模型。中子辐照产生的830cm~(-1)峰在退火时出现宽化现象是由于存在与830cm~(-1)峰组态相似的842、834和827cm~(-1)等卫星峰所致,并提出了对应于这些卫星峰的可能的缺陷模型。     

Bi2Sr2Can—1CunO2n＋4＋δ调制结构中的缺陷

众所周知,Bi系超导氧化物Bi_2Sr_2Ca_(n-1)Cu_nO_(2n+4+δ)晶体结构的特征是具有一维调制结构。其基本结构中的原子在位置和成份两方面沿[010]方向作周期性变化的结果,使(BiO)_2层中交替出现Bi密集和Bi疏稀的区域,形成a=0.54nm,b=2.7nm和C=2.46nm,3.1nm和3.7nm(对应于n=1,2和3的2201,2212和2223相)的调制结构。由于b和c较大,沿[100]方向较容易得到调制结构的晶格象。和一般晶体结构相类似,在调制结构中也会出现各种缺陷,我们利用[100]方向的晶格象。结合电子衍射图,研究了B_i系超导氧化物调制结构中的缺陷,讨论了它们的特征和作用。1.(001)90°旋转孪晶面(图1),一维调制使晶体对称性由四方降为正交,ab轴不等价,上部晶体沿[001]轴     

YBa_2Cu_3O_x和BiSrCaCu_2O_x红外吸收谱的研究

进一步研究了对YBa_2Cu_3O_x红外谱中P_1、P_2和P_3峰的指认,测量了YBa_2Cu_3O_x的晶格参数b、c和红外峰P_1、P_3的频率随淬火温度的变化,报道了P_4(410cm~(-1))及P_5(360cm~(-1))两个峰并分别指认为Ba-Ba层间及Y-Ba层间Cu-O弯曲振动产生的.还研究了不同氧含量BiSrCaGu_2O_x样品的红外吸收谱,并对其红外峰进行了指认.