电喷雾质谱法示踪钨回收过程离子的转化路径

将环隙式离心萃取器(ACCs)与电喷雾飞行时间质谱(ESI-TOF-MS)相结合，在线监测了回收过程中的钨萃取行为(宏观)和钨形态的转化路径(微观)，发现宏观萃取反应和微观离子形态转化同时发生并相互补充。伯胺N1923萃取钨在144 s内即可达到萃取平衡，萃取率高达98%以上，同时，酸钨比n(H)/n(W)是一个关键变量，当酸钨比n(H)/n(W)=2.4时，全流程钨回收率超过93%。最后，得到了基于钨形态监测的萃取机理，同时，减少原料液中W1含量，增加W10含量，可有效提高钨回收效率。     

基于全过程污染控制策略的钢铁工业园区水网络全局优化

作为典型的高耗水工业,节水减排是我国钢铁工业可持续发展亟须解决的关键问题之一。本研究基于全过程污染控制策略,提出了面向钢铁工业园区水网络特点的多尺度优化建模方法,充分考虑了钢铁园区涉水单元-工序水网络-园区水网络等不同尺度水系统的用排水特点及相互作用,有助于进一步发掘园区节水减排新空间。在此基础上建立了园区水网络全局优化模型,利用数学规划方法来探索综合用水成本最低的园区水网络优化方案。一年产能为500万吨钢材的钢铁工业园区水网络优化案例研究表明,采用全过程污染控制策略的钢铁园区水网络全局优化方案,综合用水成本、新水用量及新水成本占比等用水指标与其他采用局部水污染控制技术的方案相比有较大幅度的降低,与园区现用水指标相比,各指标均降低20%以上。案例研究表明所提出的园区水网络优化模型可行有效,优化结果对于钢铁园区水污染控制技术的集成和水网络全局优化方案的精准确定具有重要的参考价值。     

乌梁素海流域污染现状分析及防治对策

基于已有研究结果和实际调查资料,采用排污系数法,对乌梁素海流域COD、TN、TP污染负荷进行估算.结果表明,2008年乌梁素海流域COD、TN、TP污染负荷总量分别达39.3、6.95、0.91万t/a,其中畜牧养殖业和农田面源是主要的贡献源,其污染负荷分别占COD负荷总量的23.5%和31.1%,TN负荷总量的40.3%和25.2% TP负荷总量的61.1%和13.5%.乌梁素海富营养化控制的关键是降低农牧业污染排放,而处于转型期流域的工业污染也不容忽视,并针对这3类污染源提出防治对策.     

全水发泡硬质聚氨酯泡沫塑料技术研究进展

对CFC 11发泡替代技术中全水发泡技术路线进行了分析 ,指出水作为发泡剂存在的优点与不足。着重阐述了全水发泡中几种主要因素如水的用量、聚醚多元醇性质和结构以及异氰酸酯指数对泡沫性能的影响 ,并对国外近些年来全水发泡用聚醚多元醇研究现状进行了详细论述     

CMOSIC抗闩锁、抗静电的测试及防护措施的研究

通过对三种ＣＭＯＳＣ４０６９ 电路抗闩锁灵敏度、抗静电敏感度测试的研究和比较，提出高可靠性电路的质量评估。除对器件功能参数（直交流参数） 高低温参数测试外， 还必须对抗闩锁、抗静电敏感度进行测量和评估， 可真实反映器件的可靠性。避免ＣＭＯＳ器件在包装、运输和使用中带来隐患， 提出静电防护措施     

基于混合遗传算法的10 kV避雷器劣化状态识别仿真

劣化状态下的10 kV避雷器异常特征并不明显，只有在故障发生后才能发现，往往导致无法及时规避，对此，提出基于混合遗传算法的10 kV避雷器劣化状态识别方法并仿真。通过光纤电流互感器采集10 kV避雷器状态信息，并实施去噪处理。针对去噪后的电流信号，利用混合遗传算法从众多原始特征中选取有意义的劣化状态特征。通过AdaBoost算法构建弱分类器并训练，得到强分类器，结合选取的劣化状态特征，分类识别10 kV避雷器劣化状态。结果表明，在所研究方法应用下，kappa系数均在0.61～0.80,说明方法的识别准确性较高。     

生物膜法处理炼油废水

对影响生物膜内微生物活性的几个因素进行初步探索 ,并进行了生物接触氧化工艺去除炼油废水中氨氮和 COD的实验研究。实验发现在 COD≤ 50 0 mg/L的废水中 ,生物膜内异养细菌并不影响硝化细菌的代谢。生物接触氧化工艺能高效且稳定地同时去除废水中氨氮和 COD。     

流域水资源协同管理模式及体系

流域水资源管理问题复杂,亟需探索科学的管理模式及管理体系.在总结国内外流域水资源管理经验的基础上,论述了流域水资源协同管理的必要性,提出了流域水资源协同管理模式,并阐述了该模式的主要特点;从组织体系、内容体系、制度体系3方面构建了流域水资源协同管理体系.最后,以沁河流域为例,针对其水资源开发利用及管理方面存在的问题,构...     

CMOS IC抗闩锁,抗静电的测试及防护措施的研究

通过对三种ＣＭＯＳ Ｃ４０６９电路抗闩锁灵敏度、抗静电敏感度测试的研究和比较,提出高可靠性电路的质量评估。除对器件功能参数（直交流参数）高低温参数测试外,还必须对抗闩锁、抗静电敏感度进行测量和评估,可真实反映器件的可靠性。避免ＣＭＯＳ器件在包装,运输和使用中带来隐患,提出静电防护措施。