多变量工序能力指数系统模型

工序能力最终决定微电子工艺的质量水平。工序能力指数确定能够有效地确保微电子工艺水平。随着微电子工艺水平的快速发展,工艺趋于复杂化,工艺水平评价需要关注一个以上的特征参数。因此,传统的单变量工序能力指数不能有效综合的分析工序的水平。本论文提出了一个多变量工序能力指数模型系统。这个模型系统包括针对数据满足多变量正态分布的域多变量工序能力指数;针对数据不满足多变量正态分布的因子多变量工序能力指数;以及成品率多变量工序能力指数。最后通过实例分析算验证这些多变量工序能力指数是有效和实用的。     

润滑系统中过滤装置对润滑油性能影响的实验研究

通过磨损工况模拟,实验研究润滑过程中加入过滤装置对润滑油性能的影响,并运用铁谱技术对油样进行对比分析。结果表明,在润滑过程中加入过滤装置,可以更有效地提高润滑油的性能,减少机械磨损,延长润滑油的使用期限。     

基于HLA的运载火箭控制系统仿真设计研究

针对运载火箭测试发射中的控制系统仿真展开研究,在分析控制系统功能及训练仿真需求的基础上,基于高层体系结构(HIA)设计了控制系统仿真程序的总体结构,并从软件工程的角度提出了联邦的开发过程,结合控制系统的组成结构、工作原理和测试流程等要素,重点对控制系统联邦各环节进行了设计和实现,包括控制联邦成员、对象类、交互类以及虚拟...     

一种针对SEU的同步纠错流水线设计

单粒子效应是星载计算机工作异常和发生故障的重要诱因之一,国内外多颗卫星曾遭受了单粒子效应的危害,造成巨大的经济损失.文章提出了一种同步纠错的流水线结构,对错误的检测与纠正进行了任务分解;当存在可纠正错误时,将纠正后的数据写入寄存器堆之后重启流水线.采用直接纠错流水线技术的Longtium-FT2容错处理器的抗辐射总剂量能力在采用普通商用加工工艺实现时达到了30 krad(Si).     

An analytic drain current model for long‐channel undoped gate stack surrounding‐gate MOSFETs including interface fixed charges

On the basis of the exact solution of Poisson's equation and Pao–Sah double integral for long‐channel bulk MOSFETs, a continuous and analytic drain current model for the undoped gate stack (GS) surrounding‐gate (SRG) metal–oxide–semiconductor field‐effect transistor (MOSFET) including positive or negative interface fixed charges near the drain junction is presented. Considering the effect of the interface fixed charges on the flat‐band voltage and the electron mobility, the model, which is expressed with the surface and body center potentials evaluated at the source and drain ends, describes the drain current from linear region to saturation region through a single continuous expression. It is found that the surface and body center potentials are increased/decreased in the case of positive/negative interface fixed charges, respectively, and the positive/negative interface fixed charges can decrease/increase the drain current. The model agrees well with the 3D numerical simulations and can be efficiently used to explore the effects of interface fixed charges on the drain current of the gate stack surrounding‐gate MOSFETs of the charge‐trapped memory device. Copyright © 2013 John Wiley & Sons, Ltd.     

An Analytical Model Including Interface Traps and Temperature Effects in Negative Capacitance Double Gate Field Effect Transistor

Silicon - In this paper, an analytical model for negative capacitance double gate field effect transistor (NC-DG-FET) is proposed. This model includes interface traps and temperature effects, which...     

暂冲式短周期试验台涡轮性能测试方法及误差预估

分析了暂冲式短周期涡轮试验台的工作特点和运行特性,提出了适合该类试验台的涡轮性能测试方法,并对该测试方法进行了误差分析,在此基础上根据目前通用的各类传感器和测试仪表所能达到的精度指标,预估了该测试方法可能达到的性能测试的误差指标.研究表明:短周期涡轮试验在功率、转速、流量等参数的测量方法上有其特殊性;在总的涡轮性能测试指标上短周期涡轮试验完全可以达到,甚至超过连续式涡轮试验的精度;在短周期涡轮试验中,需特别注意各测量参数的同步性.     

全位置药芯焊丝自保护焊厚壁钢管焊接试验

为了解决长输管道安装工程中全位置自动化焊接问题,采用自行研制的全位置焊接机器人BIPT3,采用自保护药芯焊丝对管径为4 m壁厚为60 mm的输水钢管进行了打底、填充和盖面焊接.实现了大管径钢管的药芯焊丝自保护焊的全位置自动化焊接.焊接过程稳定,无咬边和驼峰现象,焊接工艺优良,电弧稳定,焊缝外形美观.     

EDA技术中优化器件逻辑资源的设计方法

以目前国内外应用广泛的ＬＡＴＴＩＣＥ公司的ＨＤＰＬＤ和ＡＢＥＬ－ＨＤＬ硬件设计描述语言为例,从器件结构、语法特点和描述方法三个方面讨论了在ＥＤＡ中优化器件逻辑资源的方法。其中大部分方法也适用于其它类型ＨＤＰＬＤ的设计。     

一种自主恢复的高可靠存储控制器设计

单粒子效应是星载计算机工作异常和故障的重要诱因之一,国内外多颗卫星遭受到单粒子效应的危害,已造成巨大的经济损失。提出了一种片上自主恢复存储控制器结构,将EDAC技术集成在片内存储器控制器中,通过EDAC电路检测片外存储器中的数据错误,再通过自动回写机制更新片外存储器,便能保持存储器中数据的正确性。与传统的星载计算机存储器系统设计方案相比,使处理器干预主存储器纠错的频度大幅减少。集成的片上存储控制器也减少了星载计算机系统设计的负担。